для студентів напряму підготовки (спеціальності) 6.051004______
(код)
Оптотехніка_____________________
(назва)
Завдання №1
Розв’язок: 1. Для одержання напівпровідника з дірковою (р) провідністю необхідно до силіцію, який є 4-х валентним, добавити елементи з меншим числом валентних електронів. Це є елементи 3-ї групи таблиці Менделєєва (наприклад, індій). Атоми таких домішок легко забирають на свої локальні енергетичні рівні електрони з валентної зони атомів силіцію. Внаслідок цього виникає від'ємний іон домішки, а на місці обірваного ковалентного зв’язку атома силіцію – додатній заряд, так звана дірка. Трьохвалентна домішка називається акцепторною, а напівпровідники , в яких основними носіями зарядів є дірки – напівпровідниками р-типу.
Відповідь : 3-ї групи
2.Колекторний струм на границі насичення зв’язаний з базовим струмом таким відношенням Ікнас=βІбнас, де β – коефіцієнт підсилення транзистора за струмом є сталою величиною. Очевидно, що в разі зменшення базового струму у два рази, у стільки ж разів зменшиться колекторний струм, тому що транзистор буде перебувати в активному режимі де відношення між Ік і Іб залишається таким же.
Відповідь: ІК зменшиться у 2 рази.
Завдання №2
Розв’язок: 1.Для одержання напівпровідника з електронною (n) провідністю до 4-х валентного силіцію вводять домішки 5-ї групи таблиці Менделєєва (наприклад, миш'як). При невеликих додатних температурах атоми домішки легко іонізуються, віддаючи п’ятий електрон (який не задіяний у ковалентному зв’язку). В напівпровіднику виникають вільні електрони. П’ятивалентна домішка називається донорною, а напівпровідники, в яких основними носіями зарядів є електрони, називають напівпровідниками n-типу.
Відповідь : 5-їгрупи
2.У наведеній схемі, яка складається з 2-х логічних елементів НЕ, 2-х логічних елементів І та логічного елемента АБО, логічне рівняння на його виході є рівнянням цифрового компаратора. Формування логічного рівняння показане на рисунку.
Відповідь:
Завдання №3
Розв’язок: 1.При послідовному з'єднанні стабілітронів загальна напруга буде дорівнювати сумі напруг на окремих стабілітронах. Таким чином, Uст= Uн =Uст1+Uст2=9+15=24В.
Відповідь :24 В
2. На високих частотах на коефіцієнт підсилення підсилювача оказують вплив ємність колекторного переходу (СК) і ємність (С0), яка є сумою ємності монтажу і ємності навантаження. На еквівалентній схемі 3) показані тільки ємності СК і С0 і тому вона є еквівалентною схемою на середніх частотах.
Відповідь:Схема 3.
Завдання №4
Розв’язок: 1. Коефіцієнт підсилення за напругою є відношення вихідної напруги до вхідної Кu=Uвих/Uвх.Для приведених схем можна записати: КuСБ=UКБ/UЕБ; КuСЕ=UКЕ/UБЕ; КuСК=UЕК/UБК. Враховуючи, що напруги між електродами транзистора, що працює в активному режимі, мають такі співвідношення: UКБ>UКЕ>UБЕ, то КuСБ=UКБ/UЕБ має найбільше значення. Таким чином, найбільшим коефіцієнтом підсилення за напругою має схема ввімкнення з СБ.
Відповідь:Схема з СБ.
2.Коефіцієнт підсилення інвертуючого підсилювача на операційному підсилювачі визначається відношенням KUi=-RВЗЗ /R1, а тому в разі збільшення у два рази RВЗЗ коефіцієнт підсилення підсилювача також збільшиться у 2 рази.
Відповідь:Збільшиться у 2 рази
Завдання №5
Розв’язок: 1.Коефіцієнт підсилення за струмом визначається відношенням вихідного струму до вхідного Кі=Івих/Івх. Для зображених схем можна записати: КіСБ=ІК/ІБ; КіСЕ=ІК/ІБ; КіСК=ІЕ/ІБ. Враховуючи, що найбільшим струмом у транзистора є струм емітера ІЕ, а найменшим – струм бази ІБ(ІЕ>ІК>ІБ), то найбільший коефіцієнт підсилення за струмом має схема з СК.
Відповідь:Схема зі СК.
2. Якщо на обидва входи зображеної схеми подати логічні одиниці (Х1=Х2=Х1), то емітерні p-n- переходи транзисторів VT1 I VT2 будуть закриті і базові струми цих транзисторів через колекторні p-n- переходи будуть поступати в базу транзистора VT3, забезпечуючи його насичений стан і відповідно нульовий рівень напруги на виході Y. Якщо, хоч би на одному вході Х1чи Х2 буде присутній логічний нуль, то струм резистора R1 потече через емітерний перехід відповідного транзистора і базовий струм транзистора VT3 буде відсутній і транзистор перейде у режим відтинання (закриється). Напруга на виході Y підвищиться приблизно до рівня ЕК, тобто, буде дорівнювати логічній одиниці. Залежність Yвід Х1 іХ2 можна записати як , тобто, схема реалізує логічну функцію 2І-НЕ.
Відповідь:Логічну функцію2І-НЕ.
Завдання №6
Розв’язок: 1.Коефіцієнт підсилення за потужністю є відношення потужності на навантаженні Рвих до потужності на вході пристрою Рвх Кр= Рвих/ Рвх. Враховуючи, що потужність визначається як добуток діючих значень напруги і струму можемо визначити коефіцієнт підсилення КР= Рвих/ Рвх= Uвих Івих/ Uвх Івх. Для схеми з СБ КРСБ= UКБ ІК/ UЕБ ІБ, для схеми з СЕ КРСЕ= UКЕ ІК/ UБЕ ІБ, для схеми з СК КРСК= UЕК ІЕ/ UБК ІБ. Приймаючи до уваги, що UКБ>UКЕ>UБЕ; ІЕ>ІК>ІБ, а також, що UКБ ≈UКЕ, ІК≈ІЕ, запишемо, що КРСЕ≈UКБ ІЕ/UБЕ ІБ; тобто найбільший коефіцієнтом підсилення за потужністю є у схеми зі СЕ.
Відповідь:Схема зі СЕ.
2.Коефіцієнт підсилення інвертуючого підсилення на операційному підсилювачі визначається відношенням KUi=-RВЗЗ /R1, а тому, в разі збільшення в два рази R1, коефіцієнт підсилення підсилювача зменшиться у 2 рази.
Відповідь:Зменшиться в 2 рази.
Завдання №7
Розв’язок: 1.На низьких частотах зменшення коефіцієнта підсилення пов’язано з наявністю у схемі підсилювачів роздільних конденсаторів Ср1, Ср2 і блокуючого конденсатора СЕ. Схема 1) пояснює процеси, які характеризують роботу підсилювача на низьких частотах.
Відповідь:Схема 1.
2. Для виконання умови балансу фаз необхідно, щоб сума фазових зсувів підсилююча φK і кола зворотного зв’язку φβ дорівнювала нулю або кратна 2π. У разі, коли φβ=0, фазовий зсув підсилювача повинен дорівнювати 0 або кратній величині 2π. Таку умову задовольняє неінвертуючий підсилювач на операційному підсилювачі, або парне число каскадів підсилювачів на транзисторах за схемою зі спільним емітером (найменше число каскадів 2).Відповідь:Неінвертуючий.
Завдання №8
Розв’язок: 1.Присутність в еквівалентній схемі підсилювача ємностей приводить до зменшення коефіцієнта підсилення на низьких частотах (Ср1, Ср2, СЕ) і на високих частотах (СК і С0). На середніх частотах коефіцієнт підсилення підсилювача практично залишається незмінним, тобто схема веде себе так ніби в ній відсутні реактивні елементи (ємності). Таким чином схема 2) відображає процеси в схемі підсилювача на середніх частотах, тобто, є її еквівалентною схемою заміщення на середніх частотах.
Відповідь:Схема 2
2. Для одержання напівпровідника з дірковою (р) провідністю необхідно до силіцію, який є 4-х валентним, добавити елементи з меншим числом валентних електронів. Це є елементи 3-ї групи таблиці Менделєєва (наприклад, індій). Атоми таких домішок легко забирають на свої локальні енергетичні рівні електрони з валентної зони атомів силіцію. Внаслідок цього виникає від'ємний іон домішки, а на місці обірваного ковалентного зв’язку атома силіцію – додатній заряд, так звана дірка. Трьохвалентна домішка називається акцепторною, а напівпровідники , в яких основними носіями зарядів є дірки – напівпровідниками р-типу.
Відповідь : 3-ї групи
Завдання №9
Розв’язок: 1.На високих частотах на коефіцієнт підсилення підсилювача оказують вплив ємність колекторного переходу (СК) і ємність (С0), яка є сумою ємності монтажу і ємності навантаження. На еквівалентній схемі 3) показані тільки ємності СК і С0 і тому вона є еквівалентною схемою на середніх частотах.
Відповідь:Схема 3.
2. Якщо на обидва входи зображеної схеми подати логічні одиниці (Х1=Х2=Х1), то емітерні p-n- переходи транзисторів VT1 I VT2 будуть закриті і базові струми цих транзисторів через колекторні p-n- переходи будуть поступати в базу транзистора VT3, забезпечуючи його насичений стан і відповідно нульовий рівень напруги на виході Y. Якщо, хоч би на одному вході Х1чи Х2 буде присутній логічний нуль, то струм резистора R1 потече через емітерний перехід відповідного транзистора і базовий струм транзистора VT3 буде відсутній і транзистор перейде у режим відтинання (закриється). Напруга на виході Y підвищиться приблизно до рівня ЕК, тобто, буде дорівнювати логічній одиниці. Залежність Yвід Х1 іХ2 можна записати як , тобто, схема реалізує логічну функцію 2І-НЕ.
Відповідь:Логічну функцію2І-НЕ
Завдання №10
Розв’язок: 1.Коефіцієнт підсилення підсилювача за напругою прямо пропорційно залежить від коефіцієнта підсилення за струмом, еквівалентного опору навантаження і обернено пропорційно його вхідного опору. В разі збільшення у зображеній схемі вдвічі опору RК, який є опором навантаження підсилювача в режимі холостого ходу, коефіцієнт підсилення підсилювача за напругою збільшиться також у два рази.
Відповідь:Збільшиться в 2 рази.
2.Якщо на обидва входи зображеної схеми подати логічні одиниці (Х1=Х2="1"), то емітерні p-n- переходи транзисторів VT1 і VT2 будуть закриті і базові струми цих транзисторів через колекторні p-n- переходи будуть поступати в базу транзистора VT3, забезпечуючи його насичений стан і відповідно нульовий рівень напруги на виході Y.
Відповідь:У режимі насичення.
Завдання №11
Розв’язок: 1.Коефіцієнт підсилення підсилювача за напругою прямо пропорційно залежить від коефіцієнта підсилення за струмом, еквівалентного опору навантаження і обернено пропорційно його вхідного опору. В разі збільшення у зображеній схемі вдвічі опору RВХ, коефіцієнт підсилення підсилювача за напругою зменшиться у два рази.
Відповідь:Зменшиться в 2 рази.
2.Двійкова система числення належить до позиційних систем, у яких одна і та сама цифра має різні значення (різну вагу 2n) залежно від її позиції в числі. Основою числення у двійковій системі є цифра 2. У даному випадку для запису чисел використовуються дві цифри (0 і 1). Перетворення числа представленого в двійковому коді здійснюється підсумовуванням значень степені числа 2, відповідних тим розрядам переводи мого двійкового числа, в яких є одиниці. Таким чином, задане пятирозрядне двійкове число буде відповідати десятковому 111012=1∙24+1∙23+1∙22+0∙21+1∙20=16+8+4+0+1=2910.
Відповідь:29
Завдання №12
Розв’язок: 1.У зображеній схемі напруга між базою і емітером UБЕ=UR2-URe, де UR2 є вхідною, а URe є вихідною напругою. Таким чином, напруга між базою і емітером транзистора є різницею між вхідною і вихідною напругами, тобто в схемі має місце стопроцентний від'ємний послідовний зворотний зв'язок за напругою.
Відповідь:Негативний 100% послідовний зворотний зв'язок за напругою.
2.Симетричний мультивібратор – мультивібратор, в якого довжина імпульсів дорівнює довжині паузи. Період повторення вихідних імпульсів T=ti+tп=2ti. Частота імпульсів визначається як f=1/T=1/2ti.. Через те, що довжина імпульсів прямо пропорційна добутку RC, то збільшення його у два рази приведе до збільшення у два рази довжини імпульсів і, відповідно, періоду. В даній задачі в разі збільшення добутку RC у два рази довжина імпульсів (і, відповідно, період Т) також збільшиться у два рази ti= 2∙50∙10-6, а частота імпульсів буде дорівнювати
f=1/T=1/2ti.=1/2∙2∙50∙10-6=106/200=5000Гц.
Відповідь:5000 Гц.
Завдання №13
Розв’язок: 1.Коефіцієнт підсилення інвертуючого підсилювача на операційному підсилювачі визначається відношенням KUi=-RВЗЗ /R1, а тому в разі збільшення у два рази RВЗЗ коефіцієнт підсилення підсилювача також збільшиться у 2 рази.
Відповідь:Збільшиться у 2 рази
2.Рівняння суми S і переносу Р складаються з таблиці істинності. Для цього потрібно записати суму добутків вхідних змінних (наборів) при яких сума і перенесення дорівнюють одиниці.
Відповідь:
Завдання №14
Розв’язок: 1.Коефіцієнт підсилення інвертуючого підсилення на операційному підсилювачі визначається відношенням KUi=-RВЗЗ /R1, а тому, в разі збільшення в два рази R1, коефіцієнт підсилення підсилювача зменшиться у 2 рази.
Відповідь:Зменшиться в 2 рази.
2.Демультиплексор має інформаційний вхід Х, інформація з якого передається на один із виходів F0, F1, F2, F3 за допомогою адресних входів В і А, які задають в двійковому коді індекс виходу. Адресний вхід В є старшим розрядом двійкового числа. Для приведеного демультиплексора запишемо рівняння Якщо А=0 а В=1, то підстановкою їх в наведені рівняння одержимо F0=F1=F3=0, а F2=X. Адрес ВА=102=210 задає індекс потрібного виходу. У нашому випадку це F2.
Відповідь:F2=Х
Завдання №15
Розв’язок: 1.Коефіцієнт підсилення неінвертуючого підсилювача на операційному підсилювачі визначається виразом КUн=1+RВЗЗ/R1. Для одержання коефіцієнта підсилення рівного одиниці необхідно, щоб RВЗЗ/R1=0. Це буде у тоді, коли RВЗЗ=0.
Відповідь:RВЗЗ=0.
2.Значення вихідної функції мультиплексора визначається виразом В разі, коли А=1, В=0, вираз прийме вигляд F=D1, тобто на вихід F буде скомутований вхід D1, індекс якого відповідає коду, який задається адресними входами. В завданні адресними входами в двійковому коді задане число ВА=012=110, що відповідає індексі входа D1.
Відповідь:F=D1
Завдання №16
Розв’язок: 1. Коефіцієнт підсилення неінвертуючого підсилювача на операційному підсилювачі визначається виразом КUн=1+RВЗЗ/R1. У разі, якщо RВЗЗ=2R1, коефіцієнт підсилення буде дорівнювати 3.
Відповідь:Коефіцієнт підсилення буде дорівнювати3
Розв’язок: 2.Середнє значення випрямленого струму Id=Ud/Rн. Середнє значення випрямленої напруги Ud=U2/1,1. Підставивши Ud у попередній вираз, одержимо струм в навантаженні
Id=U2/ 1,1 Rн=110/1,1∙200=0,5А.
Відповідь:Id=0,5 А
.
Завдання №17
Розв’язок: 1. Коефіцієнт підсилення інвертуючого підсилювача на операційному підсилювачі визначається відношенням KUi=-RВЗЗ /R1, а тому при RВЗЗ=R1 коефіцієнт підсилення такого підсилювача буде дорівнювати -1.
Відповідь:Якщо RВЗЗ=R1.
Завдання №18
Розв’язок: 1. Для виконання умови балансу фаз необхідно, щоб сума фазових зсувів підсилююча φK і кола зворотного зв’язку φβ дорівнювала нулю або кратному 2π. У разі, коли φβ=0, фазовий зсув підсилювача повинен дорівнювати 0 чи кратному величині 2π. Таку умову задовольняє неінвертуючий підсилювач на операційному підсилювачі, або парне число каскадів підсилювачів на транзисторах за схемою зі спільним емітером (найменше число каскадів 2).Відповідь:Неінвертуючий.
2.Логічний елемент І-НЕ є універсальним тому, що він може реалізувати будь яку з трьох логічних операцій І, АБО, НЕ.
1) Операція НЕ реалізується об'єднанням входів логічного елементу
2) Операція І. Спочатку, використавши аксіому подвійного заперечення, запишемо тотожність .
(На основі аксіоми, що подвійне заперечення не є запереченням)
3) Операція АБО. Запишемо, використавши аксіому подвійного заперечення та теорему де Моргана:
Відповідь:4. Тому, що логічний елемент І-НЕ може виконувати всі три операції І, АБО, НЕ.
Завдання №19
Розв’язок: 1. Мінімальний струм бази, що забезпечує насичений стан транзистора, визначається з виразу ІБнас= ІКнас/ β= Ек/β Rк.=15/50∙1=0,3 мА.
Відповідь:Ібмін=0,3 мА.
2. При заданій комбінації сигналів на і входах на прямому і інверсному виходах будуть лог. 1 (а в тригерах виходи завжди повинні бути взаємно інверсними). Крім того, після зняття з входів логічних нулів стан тригера буде непередбачуваний: тригер може встановитися або в стан лог. 0, або в стан лог. 1.
Відповідь:При комбінації вхідних сигналів =0і =0 на обох виходах такого тригера будуть лог. 1. А так як тригер завжди повинен мати на виходах взаємно інверсні значення сигналів, то така комбінація вхідних сигналів є забороненою.
Завдання №20
Розв’язок: 1.Колекторний струм на границі насичення зв’язаний з базовим струмом таким відношенням Ікнас=βІбнас, де β – коефіцієнт підсилення транзистора за струмом є сталою величиною. Очевидно, що в разі зменшення базового струму у два рази, у стільки ж разів зменшиться колекторний струм, тому що транзистор буде перебувати в активному режимі де відношення між Ік і Іб залишається таким же.
Відповідь: ІК зменшиться у 2 рази.
2.Уасинхронного RS- тригера, виконаного на логічних елементах АБО-НЕ S вхід призначений для встановлення на прямому виході тригера Q логічної «1», а R вхід – логічного «0». З наведеної схеми можна
Rn
Sn
Qn
*
записати логічне рівняння такого триггера
.
Rn
Sn
Qn
*
Підстановкою можливих комбінацій Rn і Sn одержимо таблицю істинності триггера. Одночасна подача рівнів лог. 1 на обидва входи Rn і Sn забороняється, тому що при цьому на обох виходах установляться рівні лог. 0, що не є тригерним станом. Крім того, після зняття з входів логічних одиниць стан тригера буде непередбачений: тригер може встановитися або в стан лог. 0, або в стан лог.1. Такий стан триггера в таблиці істинності позначений зірочкою.
Відповідь:
Завдання №21
Розв’язок: 1.Якщо на обидва входи зображеної схеми подати логічні одиниці (Х1=Х2=Х1), то емітерні p-n- переходи транзисторів VT1 I VT2 будуть закриті і базові струми цих транзисторів через колекторні p-n- переходи будуть поступати в базу транзистора VT3, забезпечуючи його насичений стан і відповідно нульовий рівень напруги на виході Y. Якщо, хоч би на одному вході Х1чи Х2 буде присутній логічний нуль, то струм резистора R1 потече через емітерний перехід відповідного транзистора і базовий струм транзистора VT3 буде відсутній і транзистор перейде у режим відтинання (закриється). Напруга на виході Y підвищиться приблизно до рівня ЕК, тобто, буде дорівнювати логічній одиниці. Залежність Yвід Х1 іХ2 можна записати як , тобто, схема реалізує логічну функцію 2І-НЕ.
Відповідь:Схема реалізуєлогічну функцію2І-НЕ.
2. У зображеній схемі напруга між базою і емітером UБЕ=UR2-URe, де UR2 є вхідною, а URe є вихідною напругою. Таким чином, напруга між базою і емітером транзистора є різницею між вхідною і вихідною напругами, тобто в схемі має місце стопроцентний від'ємний послідовний зворотний зв'язок за напругою.
Відповідь:Негативний 100% послідовний зворотний зв'язок за напругою.
Завдання №22
Розв’язок: 1.Якщо на обидва входи зображеної схеми подати логічні одиниці (Х1=Х2="1"), то емітерні p-n- переходи транзисторів VT1 і VT2 будуть закриті і базові струми цих транзисторів через колекторні p-n- переходи будуть поступати в базу транзистора VT3, забезпечуючи його насичений стан і відповідно нульовий рівень напруги на виході Y.
Відповідь:У режимі насичення.
2.У багатокаскадних підсилювачах загальний коефіцієнт підсилення дорівнює добутку коефіцієнтів підсилення кожного із каскадів. У двокаскадному підсилювачі коефіцієнт підсилення Кпідс.=К1каск.∙К2 каск= 20∙50=1000.В децибелах коефіцієнт підсилення за напругою визначається виразом КU(дБ)=20 lgКпідс. Таким чином, коефіцієнт підсилення двокаскадного підсилювача в децибелах буде дорівнювати КU(дБ)=20 lg1000=20·3=60 дБ.
Відповідь:60 дБ
Завдання №23
Розв’язок: 1.Якщо на вході Х1 буде присутній логічний нуль, а на вході Х2 – логічна одиниця, то струм резистора R1 потече через емітерний перехід транзистора VT1. Потенціал колекторів транзисторів VT1 і VT2 (і бази транзистора VT3) практично зменшиться до нуля і транзистор VT3 закриється, тобто, транзистор VT3 буде перебувати в режимі відтинання.
Відповідь:У режимі відтинання.
2.На рис. 1 наведений розріз ПТ з ідеалізованим каналом n типу, що представляє собою слабо леговану пластину напівпровідника n типу, до якої з двох (або однієї) сторін примикають з’єднані між собою сильно леговані області напівпровідників p типу.
Рис.1
На границях розділу таких напівпровідників мають місце p-n переходи шириною L. Ці p-n переходи практично знаходяться в області n напівпровідника, тому що pp » nn. Між ними знаходиться провідний канал шириною W. Канал має контакти із зовнішніми електродами, які мають назву витоку (В) − електрод від якого починають рух носії заряду) і стоку (С) − електрод до якого рухаються носії заряду. В нашому випадку це будуть електрони. Області напівпровідників p типу мають зовнішній електрод, який називається затвором (З) − електрод до якого приєднується джерело керуючої (вхідної) напруги.
Рис. 2
Джерело живлення приєднується між стоком і витоком Uсв, а керуюча (вхідна) напруга – між затвором і витоком. На затвор подається напруга, яка зміщує p-n перехід у зворотному напрямі.
Принцип дії ПТ з p-n переходами базується на зміні опору провідникового каналу W за рахунок розширення p-n переходів у разі подачі на них зворотної напруги. Оскільки p область має значно більшу концентрацію ніж n область, то зміна ширини p-n переходів відбувається головним чином за рахунок менш легованої n області. При цьому змінюється ширина провідного каналу W та його опір, що приводить до зміни струму стоку транзистора ІС. Таким чином, змінюючи напругу UЗВ, можна керувати струмом ІС.
З появою струму ІС в каналі виникає розподілена по каналу напруга, яка зростає у напрямку до стоку і є зворотною до p-n переходів. Через це потенціали точок вздовж каналу зростають у напрямку стоку від нуля до UСВ, що спричиняє розширення переходів від витоку до стоку і відповідно зменшенню ширини провідного каналу та збільшення його опору. Канал приймає вигляд показаний на рис. 2.
При певній величині напруги UСВ за рахунок розширення p-n переходів провідний канал W зникає, а його опір стає надто великим. Це приводить до зменшення струму ІС і, як наслідок, розширення каналу (за рахунок зменшення ширини p-n переходів), а це в свою чергу – до збільшення струму. Таким чином, струм ІС практично залишається незмінним. На рис.3, а наведені стокові характеристики, а на рис.3, б – стік-затворна характеристика польового транзистора з p-n переходами.
а) б)
Рис. 3
Завдання №24
Розв’язок: 1.Двійкова система числення належить до позиційних систем, у яких одна і та сама цифра має різні значення (різну вагу 2n) залежно від її позиції в числі. Основою числення у двійковій системі є цифра 2. У даному випадку для запису чисел використовуються дві цифри (0 і 1). Перетворення числа представленого в двійковому коді здійснюється підсумовуванням значень степені числа 2, відповідних тим розрядам переводи мого двійкового числа, в яких є одиниці. Таким чином, задане пятирозрядне двійкове число буде відповідати десятковому 111012=1∙24+1∙23+1∙22+0∙21+1∙20=16+8+4+0+1=2910.
Відповідь:29
2. Структурна схема автогенератора складається з підсилювача з коефіцієнтом підсилення і кола додатного зворотного зв’язку (ДЗЗ) з коефіцієнтом зворотного зв’язку , рис. 1.