Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

НА КОНТРОЛЬНІ ЗАВДАННЯ



НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ

«Київський політехнічний інститут»

 

ЕТАЛОНИ ВІДПОВІДЕЙ

НА КОНТРОЛЬНІ ЗАВДАННЯ

з дисципліни Електроніка і системотехніка

(назва)

для студентів напряму підготовки (спеціальності) 6.051004______

(код)

Оптотехніка_____________________

(назва)

Завдання №1 Розв’язок: 1. Для одержання напівпровідника з дірковою (р) провідністю необхідно до силіцію, який є 4-х валентним, добавити елементи з меншим числом валентних електронів. Це є елементи 3-ї групи таблиці Менделєєва (наприклад, індій). Атоми таких домішок легко забирають на свої локальні енергетичні рівні електрони з валентної зони атомів силіцію. Внаслідок цього виникає від'ємний іон домішки, а на місці обірваного ковалентного зв’язку атома силіцію – додатній заряд, так звана дірка. Трьохвалентна домішка називається акцепторною, а напівпровідники , в яких основними носіями зарядів є дірки – напівпровідниками р-типу. Відповідь : 3-ї групи
2.Колекторний струм на границі насичення зв’язаний з базовим струмом таким відношенням ІкнасІбнас, де β – коефіцієнт підсилення транзистора за струмом є сталою величиною. Очевидно, що в разі зменшення базового струму у два рази, у стільки ж разів зменшиться колекторний струм, тому що транзистор буде перебувати в активному режимі де відношення між Ік і Іб залишається таким же. Відповідь: ІК зменшиться у 2 рази.
Завдання №2 Розв’язок: 1.Для одержання напівпровідника з електронною (n) провідністю до 4-х валентного силіцію вводять домішки 5-ї групи таблиці Менделєєва (наприклад, миш'як). При невеликих додатних температурах атоми домішки легко іонізуються, віддаючи п’ятий електрон (який не задіяний у ковалентному зв’язку). В напівпровіднику виникають вільні електрони. П’ятивалентна домішка називається донорною, а напівпровідники, в яких основними носіями зарядів є електрони, називають напівпровідниками n-типу. Відповідь : 5-їгрупи
2.У наведеній схемі, яка складається з 2-х логічних елементів НЕ, 2-х логічних елементів І та логічного елемента АБО, логічне рівняння на його виході є рівнянням цифрового компаратора. Формування логічного рівняння показане на рисунку. Відповідь:
Завдання №3 Розв’язок: 1.При послідовному з'єднанні стабілітронів загальна напруга буде дорівнювати сумі напруг на окремих стабілітронах. Таким чином, Uст= Uн =Uст1+Uст2=9+15=24В. Відповідь :24 В
2. На високих частотах на коефіцієнт підсилення підсилювача оказують вплив ємність колекторного переходу (СК) і ємність (С0), яка є сумою ємності монтажу і ємності навантаження. На еквівалентній схемі 3) показані тільки ємності СК і С0 і тому вона є еквівалентною схемою на середніх частотах. Відповідь:Схема 3.
Завдання №4 Розв’язок: 1. Коефіцієнт підсилення за напругою є відношення вихідної напруги до вхідної Кu=Uвих/Uвх.Для приведених схем можна записати: КuСБ=UКБ/UЕБ; КuСЕ=UКЕ/UБЕ; КuСК=UЕК/UБК. Враховуючи, що напруги між електродами транзистора, що працює в активному режимі, мають такі співвідношення: UКБ>UКЕ>UБЕ, то КuСБ=UКБ/UЕБ має найбільше значення. Таким чином, найбільшим коефіцієнтом підсилення за напругою має схема ввімкнення з СБ. Відповідь:Схема з СБ.
2.Коефіцієнт підсилення інвертуючого підсилювача на операційному підсилювачі визначається відношенням KUi=-RВЗЗ /R1, а тому в разі збільшення у два рази RВЗЗ коефіцієнт підсилення підсилювача також збільшиться у 2 рази. Відповідь:Збільшиться у 2 рази
Завдання №5 Розв’язок: 1.Коефіцієнт підсилення за струмом визначається відношенням вихідного струму до вхідного Ківихвх. Для зображених схем можна записати: КіСБКБ; КіСЕКБ; КіСКЕБ. Враховуючи, що найбільшим струмом у транзистора є струм емітера ІЕ, а найменшим – струм бази ІБ (ІЕКБ), то найбільший коефіцієнт підсилення за струмом має схема з СК. Відповідь:Схема зі СК.
2. Якщо на обидва входи зображеної схеми подати логічні одиниці (Х1=Х2=Х1), то емітерні p-n- переходи транзисторів VT1 I VT2 будуть закриті і базові струми цих транзисторів через колекторні p-n- переходи будуть поступати в базу транзистора VT3, забезпечуючи його насичений стан і відповідно нульовий рівень напруги на виході Y. Якщо, хоч би на одному вході Х1чи Х2 буде присутній логічний нуль, то струм резистора R1 потече через емітерний перехід відповідного транзистора і базовий струм транзистора VT3 буде відсутній і транзистор перейде у режим відтинання (закриється). Напруга на виході Y підвищиться приблизно до рівня ЕК, тобто, буде дорівнювати логічній одиниці. Залежність Yвід Х1 іХ2 можна записати як , тобто, схема реалізує логічну функцію 2І-НЕ. Відповідь:Логічну функцію2І-НЕ.
Завдання №6 Розв’язок: 1.Коефіцієнт підсилення за потужністю є відношення потужності на навантаженні Рвих до потужності на вході пристрою Рвх Кр= Рвих/ Рвх. Враховуючи, що потужність визначається як добуток діючих значень напруги і струму можемо визначити коефіцієнт підсилення КР= Рвих/ Рвх= Uвих Івих/ Uвх Івх. Для схеми з СБ КРСБ= UКБ ІК/ UЕБ ІБ, для схеми з СЕ КРСЕ= UКЕ ІК/ UБЕ ІБ, для схеми з СК КРСК= UЕК ІЕ/ UБК ІБ. Приймаючи до уваги, що UКБ>UКЕ>UБЕ; ІЕКБ, а також, що UКБ UКЕ, ІКІЕ, запишемо, що КРСЕUКБ ІЕ/UБЕ ІБ; тобто найбільший коефіцієнтом підсилення за потужністю є у схеми зі СЕ. Відповідь:Схема зі СЕ. 2.Коефіцієнт підсилення інвертуючого підсилення на операційному підсилювачі визначається відношенням KUi=-RВЗЗ /R1, а тому, в разі збільшення в два рази R1, коефіцієнт підсилення підсилювача зменшиться у 2 рази. Відповідь:Зменшиться в 2 рази.
Завдання №7
Розв’язок: 1.На низьких частотах зменшення коефіцієнта підсилення пов’язано з наявністю у схемі підсилювачів роздільних конденсаторів Ср1, Ср2 і блокуючого конденсатора СЕ. Схема 1) пояснює процеси, які характеризують роботу підсилювача на низьких частотах.  
  Відповідь:Схема 1.
     
2. Для виконання умови балансу фаз необхідно, щоб сума фазових зсувів підсилююча φK і кола зворотного зв’язку φβ дорівнювала нулю або кратна 2π. У разі, коли φβ=0, фазовий зсув підсилювача повинен дорівнювати 0 або кратній величині 2π. Таку умову задовольняє неінвертуючий підсилювач на операційному підсилювачі, або парне число каскадів підсилювачів на транзисторах за схемою зі спільним емітером (найменше число каскадів 2). Відповідь:Неінвертуючий.
Завдання №8 Розв’язок: 1.Присутність в еквівалентній схемі підсилювача ємностей приводить до зменшення коефіцієнта підсилення на низьких частотах (Ср1, Ср2, СЕ) і на високих частотах (СК і С0). На середніх частотах коефіцієнт підсилення підсилювача практично залишається незмінним, тобто схема веде себе так ніби в ній відсутні реактивні елементи (ємності). Таким чином схема 2) відображає процеси в схемі підсилювача на середніх частотах, тобто, є її еквівалентною схемою заміщення на середніх частотах. Відповідь:Схема 2
2. Для одержання напівпровідника з дірковою (р) провідністю необхідно до силіцію, який є 4-х валентним, добавити елементи з меншим числом валентних електронів. Це є елементи 3-ї групи таблиці Менделєєва (наприклад, індій). Атоми таких домішок легко забирають на свої локальні енергетичні рівні електрони з валентної зони атомів силіцію. Внаслідок цього виникає від'ємний іон домішки, а на місці обірваного ковалентного зв’язку атома силіцію – додатній заряд, так звана дірка. Трьохвалентна домішка називається акцепторною, а напівпровідники , в яких основними носіями зарядів є дірки – напівпровідниками р-типу. Відповідь : 3-ї групи
Завдання №9 Розв’язок: 1.На високих частотах на коефіцієнт підсилення підсилювача оказують вплив ємність колекторного переходу (СК) і ємність (С0), яка є сумою ємності монтажу і ємності навантаження. На еквівалентній схемі 3) показані тільки ємності СК і С0 і тому вона є еквівалентною схемою на середніх частотах. Відповідь:Схема 3.
2. Якщо на обидва входи зображеної схеми подати логічні одиниці (Х1=Х2=Х1), то емітерні p-n- переходи транзисторів VT1 I VT2 будуть закриті і базові струми цих транзисторів через колекторні p-n- переходи будуть поступати в базу транзистора VT3, забезпечуючи його насичений стан і відповідно нульовий рівень напруги на виході Y. Якщо, хоч би на одному вході Х1чи Х2 буде присутній логічний нуль, то струм резистора R1 потече через емітерний перехід відповідного транзистора і базовий струм транзистора VT3 буде відсутній і транзистор перейде у режим відтинання (закриється). Напруга на виході Y підвищиться приблизно до рівня ЕК, тобто, буде дорівнювати логічній одиниці. Залежність Yвід Х1 іХ2 можна записати як , тобто, схема реалізує логічну функцію 2І-НЕ. Відповідь:Логічну функцію2І-НЕ

 

 

Завдання №10 Розв’язок: 1.Коефіцієнт підсилення підсилювача за напругою прямо пропорційно залежить від коефіцієнта підсилення за струмом, еквівалентного опору навантаження і обернено пропорційно його вхідного опору. В разі збільшення у зображеній схемі вдвічі опору RК, який є опором навантаження підсилювача в режимі холостого ходу, коефіцієнт підсилення підсилювача за напругою збільшиться також у два рази. Відповідь:Збільшиться в 2 рази.
2.Якщо на обидва входи зображеної схеми подати логічні одиниці (Х1=Х2="1"), то емітерні p-n- переходи транзисторів VT1 і VT2 будуть закриті і базові струми цих транзисторів через колекторні p-n- переходи будуть поступати в базу транзистора VT3, забезпечуючи його насичений стан і відповідно нульовий рівень напруги на виході Y. Відповідь:У режимі насичення.
Завдання №11 Розв’язок: 1.Коефіцієнт підсилення підсилювача за напругою прямо пропорційно залежить від коефіцієнта підсилення за струмом, еквівалентного опору навантаження і обернено пропорційно його вхідного опору. В разі збільшення у зображеній схемі вдвічі опору RВХ, коефіцієнт підсилення підсилювача за напругою зменшиться у два рази. Відповідь:Зменшиться в 2 рази.
2.Двійкова система числення належить до позиційних систем, у яких одна і та сама цифра має різні значення (різну вагу 2n) залежно від її позиції в числі. Основою числення у двійковій системі є цифра 2. У даному випадку для запису чисел використовуються дві цифри (0 і 1). Перетворення числа представленого в двійковому коді здійснюється підсумовуванням значень степені числа 2, відповідних тим розрядам переводи мого двійкового числа, в яких є одиниці. Таким чином, задане пятирозрядне двійкове число буде відповідати десятковому 111012=1∙24+1∙23+1∙22+0∙21+1∙20=16+8+4+0+1=2910. Відповідь:29
Завдання №12 Розв’язок: 1.У зображеній схемі напруга між базою і емітером UБЕ=UR2-URe, де UR2 є вхідною, а URe є вихідною напругою. Таким чином, напруга між базою і емітером транзистора є різницею між вхідною і вихідною напругами, тобто в схемі має місце стопроцентний від'ємний послідовний зворотний зв'язок за напругою. Відповідь:Негативний 100% послідовний зворотний зв'язок за напругою.
2.Симетричний мультивібратор – мультивібратор, в якого довжина імпульсів дорівнює довжині паузи. Період повторення вихідних імпульсів T=ti+tп=2ti. Частота імпульсів визначається як f=1/T=1/2ti.. Через те, що довжина імпульсів прямо пропорційна добутку RC, то збільшення його у два рази приведе до збільшення у два рази довжини імпульсів і, відповідно, періоду. В даній задачі в разі збільшення добутку RC у два рази довжина імпульсів (і, відповідно, період Т) також збільшиться у два рази ti= 2∙50∙10-6, а частота імпульсів буде дорівнювати f=1/T=1/2ti.=1/2∙2∙50∙10-6=106/200=5000Гц. Відповідь:5000 Гц.
Завдання №13 Розв’язок: 1.Коефіцієнт підсилення інвертуючого підсилювача на операційному підсилювачі визначається відношенням KUi=-RВЗЗ /R1, а тому в разі збільшення у два рази RВЗЗ коефіцієнт підсилення підсилювача також збільшиться у 2 рази. Відповідь:Збільшиться у 2 рази
2.Рівняння суми S і переносу Р складаються з таблиці істинності. Для цього потрібно записати суму добутків вхідних змінних (наборів) при яких сума і перенесення дорівнюють одиниці. Відповідь:
Завдання №14 Розв’язок: 1.Коефіцієнт підсилення інвертуючого підсилення на операційному підсилювачі визначається відношенням KUi=-RВЗЗ /R1, а тому, в разі збільшення в два рази R1, коефіцієнт підсилення підсилювача зменшиться у 2 рази. Відповідь:Зменшиться в 2 рази.
2.Демультиплексор має інформаційний вхід Х, інформація з якого передається на один із виходів F0, F1, F2, F3 за допомогою адресних входів В і А, які задають в двійковому коді індекс виходу. Адресний вхід В є старшим розрядом двійкового числа. Для приведеного демультиплексора запишемо рівняння Якщо А=0 а В=1, то підстановкою їх в наведені рівняння одержимо F0=F1=F3=0, а F2=X. Адрес ВА=102=210 задає індекс потрібного виходу. У нашому випадку це F2. Відповідь:F2=Х
Завдання №15 Розв’язок: 1.Коефіцієнт підсилення неінвертуючого підсилювача на операційному підсилювачі визначається виразом КUн=1+RВЗЗ/R1. Для одержання коефіцієнта підсилення рівного одиниці необхідно, щоб RВЗЗ/R1=0. Це буде у тоді, коли RВЗЗ=0. Відповідь:RВЗЗ=0.
2.Значення вихідної функції мультиплексора визначається виразом В разі, коли А=1, В=0, вираз прийме вигляд F=D1, тобто на вихід F буде скомутований вхід D1, індекс якого відповідає коду, який задається адресними входами. В завданні адресними входами в двійковому коді задане число ВА=012=110, що відповідає індексі входа D1. Відповідь:F=D1
Завдання №16 Розв’язок: 1. Коефіцієнт підсилення неінвертуючого підсилювача на операційному підсилювачі визначається виразом КUн=1+RВЗЗ/R1. У разі, якщо RВЗЗ=2R1, коефіцієнт підсилення буде дорівнювати 3. Відповідь:Коефіцієнт підсилення буде дорівнювати3
Розв’язок: 2.Середнє значення випрямленого струму Id=Ud/Rн. Середнє значення випрямленої напруги Ud=U2/1,1. Підставивши Ud у попередній вираз, одержимо струм в навантаженні Id=U2/ 1,1 Rн=110/1,1∙200=0,5А. Відповідь:Id=0,5 А

.

Завдання №17 Розв’язок: 1. Коефіцієнт підсилення інвертуючого підсилювача на операційному підсилювачі визначається відношенням KUi=-RВЗЗ /R1, а тому при RВЗЗ=R1 коефіцієнт підсилення такого підсилювача буде дорівнювати -1. Відповідь:Якщо RВЗЗ=R1.
2. Логічна функція3-х входового логічного елемента3І-НЕ описується аналітичним виразом: . Відповідь:Y=1
Завдання №18 Розв’язок: 1. Для виконання умови балансу фаз необхідно, щоб сума фазових зсувів підсилююча φK і кола зворотного зв’язку φβ дорівнювала нулю або кратному 2π. У разі, коли φβ=0, фазовий зсув підсилювача повинен дорівнювати 0 чи кратному величині 2π. Таку умову задовольняє неінвертуючий підсилювач на операційному підсилювачі, або парне число каскадів підсилювачів на транзисторах за схемою зі спільним емітером (найменше число каскадів 2). Відповідь:Неінвертуючий.
2.Логічний елемент І-НЕ є універсальним тому, що він може реалізувати будь яку з трьох логічних операцій І, АБО, НЕ. 1) Операція НЕ реалізується об'єднанням входів логічного елементу 2) Операція І. Спочатку, використавши аксіому подвійного заперечення, запишемо тотожність . (На основі аксіоми, що подвійне заперечення не є запереченням)   3) Операція АБО. Запишемо, використавши аксіому подвійного заперечення та теорему де Моргана:   Відповідь:4. Тому, що логічний елемент І-НЕ може виконувати всі три операції І, АБО, НЕ.
Завдання №19 Розв’язок: 1. Мінімальний струм бази, що забезпечує насичений стан транзистора, визначається з виразу ІБнас= ІКнас/ β= ЕкRк.=15/50∙1=0,3 мА. Відповідь:Іб мін=0,3 мА.
2. При заданій комбінації сигналів на і входах на прямому і інверсному виходах будуть лог. 1 (а в тригерах виходи завжди повинні бути взаємно інверсними). Крім того, після зняття з входів логічних нулів стан тригера буде непередбачуваний: тригер може встановитися або в стан лог. 0, або в стан лог. 1. Відповідь:При комбінації вхідних сигналів =0і =0 на обох виходах такого тригера будуть лог. 1. А так як тригер завжди повинен мати на виходах взаємно інверсні значення сигналів, то така комбінація вхідних сигналів є забороненою.
Завдання №20 Розв’язок: 1.Колекторний струм на границі насичення зв’язаний з базовим струмом таким відношенням ІкнасІбнас, де β – коефіцієнт підсилення транзистора за струмом є сталою величиною. Очевидно, що в разі зменшення базового струму у два рази, у стільки ж разів зменшиться колекторний струм, тому що транзистор буде перебувати в активному режимі де відношення між Ік і Іб залишається таким же. Відповідь: ІК зменшиться у 2 рази.
2.Уасинхронного RS- тригера, виконаного на логічних елементах АБО-НЕ S вхід призначений для встановлення на прямому виході тригера Q логічної «1», а R вхід – логічного «0». З наведеної схеми можна
Rn Sn Qn
*

записати логічне рівняння такого триггера

.

Rn Sn Qn
*

Підстановкою можливих комбінацій Rn і Sn одержимо таблицю істинності триггера. Одночасна подача рівнів лог. 1 на обидва входи Rn і Sn забороняється, тому що при цьому на обох виходах установляться рівні лог. 0, що не є тригерним станом. Крім того, після зняття з входів логічних одиниць стан тригера буде непередбачений: тригер може встановитися або в стан лог. 0, або в стан лог.1. Такий стан триггера в таблиці істинності позначений зірочкою.

Відповідь:
Завдання №21 Розв’язок: 1.Якщо на обидва входи зображеної схеми подати логічні одиниці (Х1=Х2=Х1), то емітерні p-n- переходи транзисторів VT1 I VT2 будуть закриті і базові струми цих транзисторів через колекторні p-n- переходи будуть поступати в базу транзистора VT3, забезпечуючи його насичений стан і відповідно нульовий рівень напруги на виході Y. Якщо, хоч би на одному вході Х1чи Х2 буде присутній логічний нуль, то струм резистора R1 потече через емітерний перехід відповідного транзистора і базовий струм транзистора VT3 буде відсутній і транзистор перейде у режим відтинання (закриється). Напруга на виході Y підвищиться приблизно до рівня ЕК, тобто, буде дорівнювати логічній одиниці. Залежність Yвід Х1 іХ2 можна записати як , тобто, схема реалізує логічну функцію 2І-НЕ. Відповідь:Схема реалізуєлогічну функцію2І-НЕ.
2. У зображеній схемі напруга між базою і емітером UБЕ=UR2-URe, де UR2 є вхідною, а URe є вихідною напругою. Таким чином, напруга між базою і емітером транзистора є різницею між вхідною і вихідною напругами, тобто в схемі має місце стопроцентний від'ємний послідовний зворотний зв'язок за напругою. Відповідь:Негативний 100% послідовний зворотний зв'язок за напругою.

 

 

Завдання №22 Розв’язок: 1.Якщо на обидва входи зображеної схеми подати логічні одиниці (Х1=Х2="1"), то емітерні p-n- переходи транзисторів VT1 і VT2 будуть закриті і базові струми цих транзисторів через колекторні p-n- переходи будуть поступати в базу транзистора VT3, забезпечуючи його насичений стан і відповідно нульовий рівень напруги на виході Y. Відповідь:У режимі насичення.
2.У багатокаскадних підсилювачах загальний коефіцієнт підсилення дорівнює добутку коефіцієнтів підсилення кожного із каскадів. У двокаскадному підсилювачі коефіцієнт підсилення Кпідс.=К1каск.К2 каск= 20∙50=1000.В децибелах коефіцієнт підсилення за напругою визначається виразом КU(дБ)=20 lgКпідс. Таким чином, коефіцієнт підсилення двокаскадного підсилювача в децибелах буде дорівнювати КU(дБ)=20 lg1000=20·3=60 дБ. Відповідь:60 дБ
Завдання №23 Розв’язок: 1.Якщо на вході Х1 буде присутній логічний нуль, а на вході Х2 – логічна одиниця, то струм резистора R1 потече через емітерний перехід транзистора VT1. Потенціал колекторів транзисторів VT1 і VT2 (і бази транзистора VT3) практично зменшиться до нуля і транзистор VT3 закриється, тобто, транзистор VT3 буде перебувати в режимі відтинання. Відповідь:У режимі відтинання.
2.На рис. 1 наведений розріз ПТ з ідеалізованим каналом n типу, що представляє собою слабо леговану пластину напівпровідника n типу, до якої з двох (або однієї) сторін примикають з’єднані між собою сильно леговані області напівпровідників p типу.
Рис.1

На границях розділу таких напівпровідників мають місце p-n переходи шириною L. Ці p-n переходи практично знаходяться в області n напівпровідника, тому що pp » nn. Між ними знаходиться провідний канал шириною W. Канал має контакти із зовнішніми електродами, які мають назву витоку (В) − електрод від якого починають рух носії заряду) і стоку (С) − електрод до якого рухаються носії заряду. В нашому випадку це будуть електрони. Області напівпровідників p типу мають зовнішній електрод, який називається затвором (З) − електрод до якого приєднується джерело керуючої (вхідної) напруги.

Рис. 2

Джерело живлення приєднується між стоком і витоком Uсв, а керуюча (вхідна) напруга – між затвором і витоком. На затвор подається напруга, яка зміщує p-n перехід у зворотному напрямі.

Принцип дії ПТ з p-n переходами базується на зміні опору провідникового каналу W за рахунок розширення p-n переходів у разі подачі на них зворотної напруги. Оскільки p область має значно більшу концентрацію ніж n область, то зміна ширини p-n переходів відбувається головним чином за рахунок менш легованої n області. При цьому змінюється ширина провідного каналу W та його опір, що приводить до зміни струму стоку транзистора ІС. Таким чином, змінюючи напругу UЗВ, можна керувати струмом ІС.

З появою струму ІС в каналі виникає розподілена по каналу напруга, яка зростає у напрямку до стоку і є зворотною до p-n переходів. Через це потенціали точок вздовж каналу зростають у напрямку стоку від нуля до UСВ, що спричиняє розширення переходів від витоку до стоку і відповідно зменшенню ширини провідного каналу та збільшення його опору. Канал приймає вигляд показаний на рис. 2.

При певній величині напруги UСВ за рахунок розширення p-n переходів провідний канал W зникає, а його опір стає надто великим. Це приводить до зменшення струму ІС і, як наслідок, розширення каналу (за рахунок зменшення ширини p-n переходів), а це в свою чергу – до збільшення струму. Таким чином, струм ІС практично залишається незмінним. На рис.3, а наведені стокові характеристики, а на рис.3, б – стік-затворна характеристика польового транзистора з p-n переходами.

а) б) Рис. 3
Завдання №24 Розв’язок: 1.Двійкова система числення належить до позиційних систем, у яких одна і та сама цифра має різні значення (різну вагу 2n) залежно від її позиції в числі. Основою числення у двійковій системі є цифра 2. У даному випадку для запису чисел використовуються дві цифри (0 і 1). Перетворення числа представленого в двійковому коді здійснюється підсумовуванням значень степені числа 2, відповідних тим розрядам переводи мого двійкового числа, в яких є одиниці. Таким чином, задане пятирозрядне двійкове число буде відповідати десятковому 111012=1∙24+1∙23+1∙22+0∙21+1∙20=16+8+4+0+1=2910. Відповідь:29
2. Структурна схема автогенератора складається з підсилювача з коефіцієнтом підсилення і кола додатного зворотного зв’язку (ДЗЗ) з коефіцієнтом зворотного зв’язку , рис. 1.
Рис.1

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.