Помощничек
Главная | Обратная связь

...

Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Яким процесом визначається час перебування одного з транзисторів (наприклад, VT1) в закритому стані? Оцініть цей час.

Перебування одного з транзисторів (у даному випадку VT1) визначається лавиноподібним процесом зменшення коллекторного струму IK1, що власне і спричинює повне запирання транзистора. Так, наприклад, якщо з якоїсь причини струм першого транзистора IK1зменшиться, то це спричинить збільшення напруги UK1на його колекторі. Стрибок напруги пройде через ємність C1на базу другого транзистора і призведе до збільшення цього колекторного струму IK2і зменшення колекторної напруги UK2. Підсилений стрибок напруги UK2через ємність C2потрапить на базу транзистора VT1 і призведе до подальшого зменшення струму IK1.

Для оцінки часу знаходження транзистора VT1 у закритому стані скористаємося цим виразом: . При цьому напругу UC2(0) слід вважати рівною , бо за час 
перезарядження ємність C2повинна встигнути відновити свій заряд і зарядитися до повної напруги джерела живлення E. Отже:

.

інтервал часу може бути визначений з умови 1( ) = 0. Це дає:

.

12. Як працював би мультивібратор, якби верхні кінці резисторів RБ1та RБ2 були підключені не до джерела напруги Е, а до джерела більш високої позитивної напруги? Як би це відбилось на періоді коливань?

Оскільки для того, щоб транзистор VT1, наприклад, дійсно знаходився у стані насичення необхідне виконання умови: . Оскільки , а , то зі збільшенням значення E збільшаться пропорційно відповідно значення та . Умова насичення буде виконуватися. Але в той же час повинна справджуватись умова . Щодо періоду коливань, то вони збільшаться, адже конденсаторам доведеться заряджатися до більшої напруги, а отже процес зарядки-розрядки буде займати більше часу.

 

13. Чому передній фронт імпульсів колекторної напруги має закруглену форму, тоді як задній фронт різкий?

Після запирання транзистора VT2 починається відновлення заряду на ємності C2. Струм через неї потече в зворотному напрямку через RK2і емітерно- базовий перехід транзистора VT1, який щойно відкрився. Цей процес буде тривати зі сталою часу і закінчиться тим, що напруга на C2 досягне значення E (спадом напруги на відкритому емітерно- базовому переході 1 нехтуємо). Проте, поки цей процес триватиме, через RK2 буде протікати струм і напруга на колекторі VT2 буде залишатися дещо нижчою від E. Тому передній фронт імпульсу напруги UK2виявляється заокругленим і напруга UK2встановиться рівною E лише тоді, коли мине час порядку .

14. Чим можна пояснити невеликий позитивний заряд напруги UБ, який з’являється в момент відкривання транзистора? Чим визначається тривалість цього викиду?

Одночасно з процесом, описаним в питанні 13, при протіканні струму, що заряджає ємність C2через базово-емітерний перехід VT1, на останньому буде створюватися невеликий позитивний імпульс напруги , який викличе невеличке додаткове збільшення струму IK1і короткочасне зменшення напруги UK1.
Щодо тривалості, то, по ідеї, вона визначається об’ємною ємністю переходу база-емітер транзистора і силою струму, що протікав. Але точно сказати не можу.




©2015 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.