Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Генераторы линейно изменяющихся напряжений (ГЛИН)



Генераторы линейно изменяющихся напряжений (ГЛИН) формируют напряжения пилообразной формы. Для создания линейной зависимости напряжения от времени чаще всего используют заряд (разряд) конденсатора постоянным током. Простейшая схема ГЛИН приведена на рис.3.16, временные диаграммы напряжений приведены там же.

 

Рис.3.16. Схема ГЛИН

 

При разомкнутом ключе КЛ. конденсатор С заряжается от источника тока и напряжение на нем нарастает

 

Где t = 0 – момент начала заряда.

В момент t=t1 замыкается ключ КЛ. и конденсатор экспоненциально разряжается через ключ и резистор , который введен в схему для ограничения разрядного тока. После разряда конденсатора до напряжения Uс(0)=0 ключ, может быть, разомкнут, тогда начнется вновь процесс формирования линейно нарастающего напряжения.

Наиболее просто этот процесс может быть получен при использовании ИМС. Рассмотрим схему с использованием интегратора. При подачи на вход Uвх*>0 напряжение на выходе уменьшается по линейному закону

 

При подачи Uвх= - Uвх* выходное напряжение нарастает также по линейному закону.

 

На рис. 3.17. приведена схема ГЛИН с внешним управлением и временные диаграммы на рис. Схема состоит из компаратора и интегратора. Длительность tи положительного входного импульса Uу определяет длительность стадии спада выходного напряжения Uглин , длительность стадии нарастания равна паузе tп между импульсами Uу

При поступлении входного напряжения, амплитуда которого Uум>E0 , компаратор переходит в состояние положительного насыщения. Открывается диод V1 и напряжение убывает по линейному закону. Крутизна напряжения ГЛИН на интервале спада

Sc=dUглин/dt=-Uвыхмах/R1C

При прекращении импульса компаратор под воздействием напряжения на инвертирующем входе переходит в состояние отрицательного насыщения U'= - Uвыхмах . Открывается диод V2 и интегратор формирует линейно нарастающее напряжение. Крутизна нарастания на интервале

Sн=dUглин/dt=Uвыхмах/R2С

ГЛИН с внешним управлением имеет важную принципиальную особенность. Установившийся режим достигается в том случае, если равны ΔUглин на этапах нарастания и спада. В противном случае среднее значение выходного напряжения будет нарастать (или убывать) . что в конечном счете приведет к насыщению ОУ интегратора. Условие устойчивой работы ГЛИН сводится к требованию.

- tи Sc = tп Sн

Учитывая возможную нестабильность крутизны и длительности tи, tп получить устойчивую работу невозможно без дополнительных элементов.

В схему вводят стабилитроны, их задача ограничивать область изменения напряжения. Работа стабилитронов показана на рис. 3.17.

 

Рис.3.17. Схема ГЛИН с внешним запуском

Помимо ГЛИН с внешним управлением часто применяют ГЛИН, работающий в автогенераторном режиме, т.е. без управляющего сигнала

Схема такого ГЛИНа приведена на рис.3.18.

 

Рис. 3.18. Схема ГЛИН в автогенератором режиме

 

Эта схема отличается от приведенной раннее тем, что в ней есть цепь ОС (R3,R4), которая связывает прямой вход компаратора с выходами компаратора и интегратора. Найдем напряжение методом суперпозиции

Временные диаграммы приведены на рис.3.18. Начнем рассмотрение в момент t1 . когда компаратор переходит в состояние отрицательного насыщения . При этом открывается диод V2 и на интеграторе начинается процесс формирования нарастающего напряжения. Напряжение обратной связи на интервале также линейно нарастает. Для момента t2 получим

 

 

В момент t2 компаратор переключается, напряжение на его входе скачком изменяется до значения U'=Uвыхмах, это значит, что и Uос изменяется скачком.

На интервале t2 – t3 открыт диод V1. Интегратор формирует линейно убывающее напряжение Uглин . Напряжение Uос также линейно убывает и при t=t3

 

Компаратор вновь регенеративно переключается. Начинается формирование линейно нарастающего участка. Полученные выражения позволяют определить значения напряжений, длительность нарастания и спада напряжения, показать связь параметров резисторов с вышеуказанными величинами

ГЛИН находят широкое применение в технике

В качестве примера рассмотрим импульсное устройство, структурная схема, которого приведено нарис.3.19Временные диаграммы на рис 3.20.

Рис.3.19..

 

 

Рис 3.20.

 

Устройство состоит из ГЛИН, связанного с компаратором К, на второй вход которого подается входной (преобразуемый) сигнал uвх. Компаратор через диод связан с первым выходом схемы Rн1 и с управляющей цепью ключа КЛ., который подключает мультивибратор МВ ко второму выходу Rн2. Компаратор К фиксирует равенство uглин(t)=uвх(t). В момент t2 uглин=Sн(t2-t1), где t2-t1=tи . Отсюда tи=uвых/S. При переключениях компаратора на его выходе формируются прямоугольные импульсы, длительность которых прямо пропорционально текущему значению uвх. При uвых1>0 замыкается КЛ. и в нагрузку Rн2 поступает пачка импульсов с выхода мультивібратора, число которых пропорционально интервалу tи и напряжению uвх.. Таким образом, устройство является преобразователем напряжения в число импульсов.

 

5.8.. Блокинг-генератор

Предназначен для формирования импульсов тока или напряжения прямоугольной формы, преимущественно малой длительности. Применяется как формирователь управляющих импульсов в системах цифрового управления.

По принципу построения – это одноканальный транзисторный усилитель с глубокой положительной обратной связью, осуществляемой импульсным трансформатором. Выходные импульсы формируются отпиранием транзистора и удержанием его в режиме насыщения (iб>iкн/β), цепью положительной обратной связи.

Окончание формирования импульса сопровождается выходом транзистора из режима насыщения.

· По входной цепи (базовая цепь при включении транзистора по схеме ОЭ).

· По выходной цепи, из-за увеличения тока коллектора.

Эти два случая и определяют разновидность блокинг-генераторов (с конденсатором или с насыщающим трансформатором.).

Рассмотрим блокинг-генератор с конденсатором в цепи обратной связи. Такая схема имеет вид рис. 3.21.

Схема выполнена на транзисторе (Т) и трансформаторе (Тр). Цепь положительной обратной связи образована обмоткой трансформатора (Wб) , конденсатора(С ) и сопротивления R , предназначенного для ограничения тока базы. Сопротивление Rб предназначено для создания контура разряда конденсатора С на этапе закрытого состояния транзистора. Выходной сигнал снимается с обмотки (Wн) , что позволяет получить его переменным, а также осуществить потенциальное разделение нагрузки и схемы генератора.. Диод V1 исключает прохождение сигнала отрицательной полярности при запирании транзистора. Ветвь V2R1 защита от перегрузки транзистора.

Рассмотрим работу блокинг-генератора, в режиме автогенераторном.

По временным диаграммам:

t0 – t1 -- транзистор закрыт, а значит Uк = - Eк, т.е. на обмотках трансформатора и нагрузке напряжение отсутствует. Закрытое состояние транзистора создается напряжением конденсатора С, подключенном через Wб на напряжение «база - эммитер». В период t0 – t1 конденсатор С перезаряжается по цепи C- R – Rб – (-Ек) и в момент t1 напряжение на конденсаторе будет равно нулю. На интервале t1 – t2 происходит отпирание транзистора. Этот процесс осуществляется за счет положительной обратной связи и наз. регенеративным процессом или прямым блокинг-процессом

 

Рис.3.21. Схема и временные диаграммы блокинг-генератора

Сущность заключается в том, что этот процесс сопровождается взаимным увеличением базового и коллекторного токов. Происходит это так. Uс=Uбэ переходит через нуль, это вызывает появление тока базы, а значит и тока коллектора. Таким образом, Uк снижается. В обмотках трансформатора появляется ток, этот ток трансформируется через обмотку в базовый ток, что приводит к увеличению коллекторного тока и процесс повторяется. Этот процесс заканчивается в точке t2 , транзистор в режиме насыщения.

Этот процесс возможен если в цепи обратной связи обеспечивается соотношение iб>iк/β. t1- t2 – это фронт импульса (как правило это доли микросекунд). t1-t3 это tв , при этом транзистор открыт Uкэ=0 . Значит к коллекторной обмотке приложено напряжение Ек , а к обмотке Wб – Eк/nн , . Для периода t2 – t3 схема замещения блокинг-генератора будет иметь вид, рис.3.22.

 

 

Рис.3.22.

Из схемы видно, что через транзистор протекает ток, состоящий из трех составляющих iμ, iн, iб:

· iμ - ток насыщения, который является балластной составляющей тока коллектора. Определяется перемещением рабочей точки по кривой намагничивания. Для этого тока будет действовать уравнение.

Lк diμ/dt=Eк, iμ=Eк/Lкt

При tв iμмах = Eк/Lкtв

 

· iб - ток базы, обеспечивающий на интервале tв режим насыщения транзистора. Это образуется за счет заряда конденсатора С по цепи открытого транзистора и сопротивления R . Так как iб, iμ малы, то на этапе tв ток коллектора определяется iн .

Длительность tв определяется состоянием iь>iк/δ, по мере нарастания напряжения на С, ток базы уменьшается, в момент t3 условие iь>iк/δ нарушается, т.е. транзистор выходит из насыщения. Следующий за этим процесс запирания транзистора определяет окончание формирования импульса напряжения длительностью tв . Процесс перехода транзистора из режима насыщения в режим отсечки происходит мгновенно и лавинообразно, т.е. блокинг-процесс обратный. Это формирует длительность среза tср, Процессы, протекающие в схеме после запирания транзистора (t4) ,связаны с разрядом конденсатора и рассеянием энергии, накопленной в магнитном поле трансформатора. Разряд конденсатора происходит по цепи Wб – С – R -- Rб – (-Ек) . На коллекторной обмотке при tв накапливается энергия т. к. она подключена к источнику (-Ек) и протекает ток iμ . При запирании транзистора коллекторная обмотка трансформатора отключается от источника, а значит в ней индуцируется энергия, препятствующая изменению iμ . При этом напряжение самоиндукции возникает в обмотках Wб, Нагрузка (Rн) отключена от обмотки диодом V1. В цепь Wб ничего не попадает, т.к. Rб велико, таким образом, iμ можно сказать переводится из коллекторной цепи в цепь

V2R и рассеивается в сопротивлении R1 .

Ток iμ и сопротивление R1 определяют выброс напряжения на коллекторной обмотке трансформатора при запирании транзистора IмахR1

Основы алгебры логики

Введем некоторые понятия, которые используются при построении логических устройств.

Логическим сообщением наз. такое сообщение истинность или ложность, которого может быть оценена однозначно. Каждое логическое сообщение может быть заменено математическим эквивалентом – логической функцией. Для описания взаимодействий между логическими сообщениями или логическими функциями введем понятие логическая операция.

Взаимосвязь логических переменных образует логическую функцию у = f(х). Так как аргумент и функция принимают конечное число значений, а именно только два значения (1 и 0), то число возможных логических функций всегда конечно и равно: N=2m=22n, где n- число независимых переменных, m=2n – число наборов независимых переменных. Для двух переменных имеем у=f(х1, х2), N=22n=16. (таблица 6.1.)

Таким образом, для двух переменных имеем 16 логических функций.

Все операции над логическими функциями совершаются при помощи законов алгебры логики.

Отличие алгебры логики от обычной алгебры заключается в том, что функции могут принимать значения только 0, 1. Обработка информации, которая дается в виде действия, ведется в двоичной системе, которая имеет только две цифры 0,1.

Задача алгебры логики заключается в том чтобы:

1. Математически записывать логические сообщения и связи между ними.

2. Реализовывать логические уравнения в виде логических схем, т.е. переход от аналитических описаний к логическим автоматам.

3. Производить реализацию логических автоматов в оптимальном виде.

Таблица 3.1.

Основные законы алгебры логики.

1.Закон действия с единицей.

2 Закон действия с нулем.

3 .Закон повторяемости

4 Закон отрицания отрицания.

5 Переместительный закон

6. Сочетательный закон

7. Распределительный закон

8. Закон поглощения

9. Закон склейки

10. Закон де Моргана

 

Если записывать логические функции в виде суммы произведений переменных, то такая запись ДНФ.Если записывать в виде произведения сумм переменных, то такая запись КНФ. Логические функции наиболее полно представляются

в таблице 6.1.истинности, где каждая комбинация независимых переменных указывает на значение логической функции. Исходя, из таблицы истинности можно сказать, что при сочетании переменных, когда функция принимать значение 1, это конституентой единицы или минтермой. Если функция принимает значение 0, то это конституента нуля или макстерма.

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.