Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Принцип работы транзистора



Токи транзистора связаны законом Кирхгофа.

коэффициент передачи тока по эмиттеру.

Коллекторный ток является выходным в транзисторе, а ток базы входным, таким образом, важно получить связь между входом и выходом.

Это выражение не учитывает поток не основных носителей зарядов, этот поток существует и идет из коллектора в базу, формируя обратный или тепловой ток.

Если его учитывать, то получим:

Ik=αIэ +Iкбо

Однако в справочниках дается не коэффициент передачи тока базы, а статический коэффициент усиления h21*

Таким образом, при выборе транзистора можно пользоваться выражением

Ik=h21*Ib

При изучении транзисторов необходимо иметь в виду, что схемы использования транзисторов могут быть различны. Это определяется схемами соединения и таких схем может быть три. Различаются они тем, какой электрод транзистора является общим для входа и выхода. По этому признаку схемы могут быть:

-с общим эмиттером (ОЭ).

-с общей базой (ОБ).

-с общим коллектором (ОК).

Анализ показал, что любой транзистор может быть представлен двумя диодами.

При этом эквивалентная схема транзистора будет иметь вид (рис. 1.15), при чем эта схема будет соответствовать любому из видов транзисторов

 

 

 

 


ƒ(Uэ)I I 2 =ſ(Uk)

 


Рис..1.15. Эквивалентная схема транзистора.

На этой схеме ток (I1) – ток эмиттера, однако ток коллектора будет меньше и на схеме он будет представлен . Если будем иметь инверсное включение транзистора, то прямому коллекторному току будет соответствовать ток .

 

Однако чтобы использовать транзисторы в схемах одного знания соотношения “вход-выход” недостаточно, необходимо знать вольтамперные характеристики транзистора (входные и выходные). Эти характеристики могут быть получены либо аналитически, либо графически. При этом графический способ предпочтителен.

Давайте остановимся на получении и анализе входных и выходных характеристик транзистора.

Выходная (коллекторная) характеристика.Это Ik=ƒ(U) при Ib=const, рис.1.16.

 

Рис.1.16. Выходная характеристика биполярного транзистора.

 

Необходимо обратить внимание на то, что характеристика имеет два участка:

-крутой,

-пологий.

Проведем анализ каждого из участков.

- пологий участок (U>Uкэн).

На этом участке транзистор представляет собой источник тока. Особенностью этого участка является то, что изменение Ik возможно только при изменении Ib ,

Незначительное возрастание тока коллектора на этом участке вызвано тем, что увеличение (значительное) Uприводит к уменьшению толщины базы.

-крутой участок.(U>Uкэн)

Ukb=U-Uпри снижении U происходит в определенный момент изменение знака Ukb (U>Uкэн) Таким образом происходит резкое снижение IK т.е. транзистор теряет свои усилительные свойства и принимает переключающие свойства. Значение Uкэн =(0,1-1,0)

Входная характеристика. Ib=ƒ (U) при U = соnst

На графике рис. 1.17. показаны две характеристики.В характеристике (U=0) оба перехода (К-Б, Э-Б) работают в базу, там суммируются. Таким образом, характеристика транзистора представляет собой две характеристики диодов, включенных параллельно

В (Uкэ>>U кэн) на коллекторном переходе произойдет смещение напряжения в обратном направлении, а на эмиттерном переходе вся по-прежнему. В этом случае характеристика транзистора будет представлять собой сумму двух, но сдвинутых на величину Ikbo

Рис.1.17 . Входная характеристика биполярного транзистора.

 

Транзистор – это полупроводник. Таким образом, его свойства зависят от температуры. Поэтому необходимо рассмотреть влияние температуры на параметры транзистора.

Итак , анализ этого выражения показывает, что:

- увеличение температуры приводит к увеличению Ikbo,

- увеличение температуры - к заполнению центров рекомбинации в базе, а значит растет .

Другим важным показателем является влияние частоты.

β0- значение коэффициента в области средних частот.

ƒβ – частота, на которой модуль коэффициента | β | = β0/√2

В справочниках дается значение, ƒгр при которой β=1. Если принять ƒгрβ >>1 то получим ƒгр0ƒβ..

Это дает право судить об области рабочих частот.

Иногда при использовании биполярных транзисторов необходимо иметь значительные значения коэффициента усиления. Такое возможно при уменьшении толщины базы, что технически сложно. Для увеличения коэффициента усиления можно использовать комбинацию из двух или более транзисторов, соединенных вместе. Такая схема называется составным транзитором. Если составной транзистор составлен из двух однотипных транзисторв, то это схема Дарлингтона рис 1.18.

Рис.1.18. Схема Дарлінгтона.

 

ΔIb=ΔIb1, ΔIk1=βΔIb1 , ΔIэ=(1+β)ΔIb1, ΔIk=ΔIk1+ΔIk21ΔIb+ β2[(1+ β1) ΔIb], разделим обе части на ΔIb

Получим β 11β22.

 

Мал. 1.19. Схема Шиклая

Схема (рис. 1.19.) составного транзистора, выполненная на транзистораз разного типа проводимости – схема Шиклая

Итак, мы рассмотрели один из вариантов транзисторов – биполярный транзистор. Однако находят применение и другой вид транзистора - это полевой транзистор.

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.