Структура МНОП - транзисторів з плаваючим затвором

P-n-p

Б

Область , що має більшу площу pn переходу , і висновок від неї називають колектором.

Область , що має меншу площу pn переходу , і висновок від неї називають емітером .

pn перехід між колектором і базою називають колекторним переходом , а між емітте -

ром і базою - емітерний переходом .

Напрямок стрілки в транзисторі показує напрямок викликаного струму . основний

особливістю пристрою біполярних транзисторів є нерівномірність концентрації

основних носіїв зарядів у емітер , базі і колекторі. У емітері концентрація носи -

телей заряду максимальна . У колекторі - дещо менше , ніж у емітер . У базі - під

багато разів менше , ніж у емітер і колекторі (малюнок 62).

Э Б К

Рис . 62

3) Принцип дії біполярних транзисторів. При роботі транзистора в усилительном

режимі емітерний перехід відкритий, а колекторний - закритий. Це досягається відповідаю-

щим включенням джерел живлення.

Так як емітерний перехід відкритий, то через нього буде протікати струм емітера, викликаний

переходом електронів з емітера в базу і переходом дірок з бази в емітер. слідчий-

але, струм емітера матиме дві складові - електронну і діркову. ефективність

емітера оцінюється коефіцієнтом інжекції:

(0,999)

Iэ = Iэ.п. + Iэ.р.

Інжекцією зарядів називається перехід носіїв зарядів з області , де вони були основними -

ми в область , де вони стають неосновними . У базі електрони рекомбінують , а їх кон-

центрация в базі поповнюється від « +» джерела Ее , за рахунок чого в ланцюзі бази буде протікати

дуже малий струм . Решта електрони , які не встигли рекомбінувати в базі , під прискорюю -

щим дією поля закритого колекторного переходу як неосновні носії будуть пере-

ходити в колектор , утворюючи струм колектора. Перехід носіїв зарядів з області , де вони

були основними , в область , де вони стають основними , називається екстракцією зоря -

дов. Ступінь рекомбінації носіїв зарядів в базі оцінюється коефіцієнтом переходу

носіїв зарядів δ :

Основное соотношение токов в транзисторе:

α - коефіцієнт передачі струму транзистора або коефіцієнт посилення по струму:

Дірки з колектора як неосновні носії зарядів будуть переходити в базу, утворюючи

зворотний струм колектора Iкбо.

З трьох висновків транзистора на один подається вхідний сигнал, з другого - знімається ви-

Ходна сигнал, а третій висновок є загальним для вхідний і вихідний ланцюга. Таким чином,

розглянута вище схема отримала назву схеми із загальною базою.

Напруга в транзисторних схемах позначається двома індексами в залежності від того,

між якими висновками транзистора ці напруги вимірюються.

Рис65

Так як всі струми і напруги в транзисторі, крім постійної складової мають ще

і змінну складову, то її можна представити як прирощення постійної складу-

ляющие і при визначенні будь-яких параметрів схеми користуватися або змінної склад-

ляющие струмів і напруг, або приростом постійної складової.

де Ік, Iе - змінні складові колекторного і емітерного струму,

ΔIк, ΔIе - постійні складові

Схеми включення

біполярних транзисторів

Схеми включення транзисторів отримали свою назву залежно від того, який з ви -

водів транзисторів буде загальним для вхідний і вихідний ланцюга.

1 ) Схема включення із загальною базою ОБ

2 ) Схема включення з загальним емітером ОЕ

3 ) Схема включення з загальним колектором ОК

4 ) Підсилювальні властивості біполярного транзистора.

1 ) Схема включення із загальною базою ( дивіться малюнок 64). Будь схема включення транзит-

стору характеризується двома основними показниками:

- Коефіцієнт посилення по струму Iвих / Iвх ( для схеми із загальною базою Iвих / Iвх = Ік / Iэ = α [ α < 1 ] )

Вхідний опір Rвхб = Uвх / Iвх = Uбэ / Iэ .

Вхідний опір для схеми із загальною базою мало і складає десятки Ом , так як вхід -

ная ланцюг транзистора при цьому представляє собою відкритий емітерний перехід транзісто -

ра . Недоліки схеми із загальною базою:

 Схема не підсилює струм α < 1

 Малий вхідний опір

 Два різних джерела напруги для живлуння

Переваги - хороші температурні і частотні властивості .

2 ) Схема включення з загальним емітером . Ця схема , зображена на малюнку 66 , являють -

ся найбільш поширеною , так як вона дає найбільше посилення по потужності.

Р Iвх = Iб

Iвых = Iк

Uвх = Uбэ

Uвых = Uкэ

β = Iвых / Iвх = Iк / Iб (n: 10÷100)

Rвх.э = Uвх / Iвх = Uбэ / Iб [Ом] (n: 100÷1000)

Коефіцієнт посилення по струму такого каскаду являє собою відношення амплітуд (або

діючих значень ) вихідного і вхідного змінного струму , тобто змінних склад -

ляющих струмів колектора і бази. Оскільки струм колектора в десятки разів більше струму

бази , то коефіцієнт посилення по струму становить десятки одиниць.

Коефіцієнт посилення каскаду по напрузі дорівнює відношенню амплітудних або дію-

щих значень вихідного і вхідного змінної напруги . Вхідним є змінне

напруга база - емітер Uбе , а вихідним - змінну напругу на резисторі навантаження

Rн або , що те ж саме , між колектором і емітером - Uке :

Напруга база - емітер не перевищує десятих часток вольта , а вихідна напруга при

достатньому опорі резистора навантаження і напрузі джерела Ек досягає оди-

ниць , а в деяких випадках і десятків вольт. Тому коефіцієнт посилення каскаду по

напрузі має значення від десятків до сотень. Звідси випливає , що коефіцієнт зусилля-

ня каскаду по потужності виходить рівним сотням , або тисячам , або навіть десяткам ти -

сяч. Цей коефіцієнт представляє собою відношення вихідної потужності до вхідних . каж -

дая з цих потужностей визначається половиною твори амплітуд відповідних то -

ков і напруг . Вхідний опір схеми з загальним емітером мало ( від 100 до 1000

Ом). Каскад за схемою ОЕ при посиленні перевертає фазу напруги, тобто між вихід -

вим і вхідним напругою мається фазовий зсув 180 °.

Переваги схеми із загальним емітером :

 Великий коефіцієнт посилення по струму

 Бóльшее , ніж у схеми із загальною базою , вхідний опір

 Для живлення схеми потрібні два однополярних джерела , що дозволяє на практиці

обходитися одним джерелом живлення.

Недоліки : гірші , ніж у схеми із загальною базою , температурні і частотні властивості . одна -

ко за рахунок переваг схема з ОЕ застосовується найбільш часто.

3 ) Схема включення з загальним колектором.

Iвх = Iб

Iвых = Iэ

Uвх = Uбк

Uвых = Uкэ

Iвых / Iвх = Iэ / Iб = (Iк + Iб) / Iб = β + 1 = n

n = 10 … 100

Rвх = Uбк / Iб = n (10÷100) кОм

Рис67

У схемі з ОК ( дивіться малюнок 67 ) колектор є спільною точкою входу і виходу , по-

кільки джерела живлення Еб і Ек завжди шунтовані конденсаторами великої місткості і

для змінного струму можуть вважатися короткозамкненими . Особливість цієї схеми в

тому, що вхідна напруга повністю передається назад на вхід , т. з . дуже сильна від -

ріцательно зворотний зв'язок. Неважко бачити , що вхідна напруга дорівнює сумі змін -

ного напруги база - емітер Uбе і вихідної напруги. Коефіцієнт посилення по струму

каскаду з загальним колектором майже такий же , як і в схемі з ОЕ , тобто дорівнює кільком

десяткам . Однак , на відміну від каскаду з ОЕ , коефіцієнт посилення по напрузі схеми з

ОК близький до одиниці , причому завжди менше її . Змінна напруга , подане на вхід

транзистора , посилюється в десятки разів (так само, як і в схемі ОЕ) , але весь каскад НЕ

дає підсилення. Коефіцієнт посилення по потужності дорівнює приблизно кільком десяткам .

Розглянувши полярність змінних напруг у схемі , можна встановити, що фазового

зсуву між U вих і Uвх немає. Значить , вихідна напруга збігається по фазі з вхідним і

майже дорівнює йому . Тобто , вихідна напруга повторює вхідний . Саме тому даний

каскад зазвичай називають емітерний повторювачем і зображують схему так , як показано на

малюнку 68 .

Емітерним - тому, що резистор навантаження включений у провід виведення емітера і вихідна

напруга знімається з емітера (щодо корпусу) . Так як вхідні ланцюг являє

собою закритий колекторний перехід , вхідний опір каскаду за схемою ОК склад -

ляє десятки килоом , що є важливою перевагою схеми . вихідний опір

схеми з ОК , навпаки , виходить порівняно невеликим , зазвичай одиниці килоом або

сотні ом . Ці гідності схеми з ОК спонукають використовувати її для узгодження раз -

особистих пристроїв по вхідному опору .

Недоліком схеми є те , що вона не посилює напругу - коефіцієнт посилення

трохи менше 1 .

4 ) Підсилювальні властивості біполярного транзистора. Незалежно від схеми включення ,

транзистор характеризується трьома коефіцієнтами підсилення:

 KI = Iвих / Iвх - по струму ;

 KU = U вих / Uвх = ( Iвих ∙ Rн ) / ( Iвх ∙ Rвх ) = KI ∙ Rн / Rвх - по напрузі ;

 KP = Pвих / Pвх = ( U вих ∙ Iвих ) / ( Uвх ∙ Iвх ) = KI ∙ KU - по потужності.

Для схеми із загальною базою:

KI = Ік / Iе = α ( α < 1 )

Е. А. Моськатов . Стор. 35

KU = α ∙ ( Rн / Rвх )

Rн ≈ n ∙ 1кОм

Rвх ≈ n ∙ 10 Ω

KU ≈ n ∙ 100

KP = KU / KI = n ∙ 100

Для схеми із загальним колектором :

KI = Iе / Іб = β + 1 = n

KU = β ∙ ( Rн / Rвх ) ≈ n

KU < 1

Для схеми із загальним емітером :

KI = Ік / Іб = β = n ( 10 ÷ 100 )

KU = β ∙ ( Rн / Rвх )

KP = KI ∙ KU = n ∙ ( 1000 ÷ 10000 )

Робота підсилювального каскаду з транзистором відбувається наступним чином. Уявімо

транзистор змінним резистором ro , послідовно з яким включено навантажувальний

опір Rн і джерело живлення Е. Напруга джерела Е ділиться між сопротив -

ленням навантаження RH і внутрішнім опором транзистора ro , яке він робить посто -

янному току колектора. Це опір наближено дорівнює опору колектор -

ного переходу транзистора для постійного струму. Насправді до цього опираючись-

нию ще додаються невеликі опору емітерного переходу , а також n - і p -об-

ластей , але ці опору можна не брати до уваги.

Якщо у вхідні ланцюг включається джерело коливань , то при зміні його напруги

змінюється струм емітера , а отже , опір колекторного переходу . тоді

напруга джерела Е буде перерозподілятися між Rн і ro . При цьому змінна

напруга на резисторі навантаження може бути отримано в десятки разів більшим , ніж вхід -

ве змінну напругу . Зміни струму колектора майже рівні змін струму Еміт-

тера і у багато разів більше змін струму бази. Тому в даній схемі получа -

ється значне посилення струму і дуже велике посилення потужності. Посилена мощ -

ність є частиною потужності, що витрачається джерелом Е.

Статичні характеристики

транзисторів

1 ) Статичні характеристики транзистора за схемою ПРО

2 ) Статичні характеристики транзистора за схемою ОЕ

1 ) Статичні характеристики транзистора за схемою ПРО . Статичним режимом робо -

ти транзистора називається такий режим , при якому зміна вхідного струму або напря-

вання не викликає зміна вихідної напруги . Статичні характеристики каска -

да , включеного за схемою з ПРО , вимірюються за загальною схемою , зображеної на малюнку 69 .

Статичні характеристики транзисторів бувають двох видів: вхідні і вихідні.

1 ) Вхідна характеристика . Iвх = f (Uвх ) при U вих = const

Вхідні характеристики - це залежність вхідного струму від вхідної напруги при посто -

янном вихідній напрузі .

Iвх = f (Uвх ) при U вих = const

Iе = f ( Uбе ) при Uбк = const

Вхідні характеристики являють собою пряму гілку відкритого pn переходу . При збіль-

ліченіі вихідної напруги Uке носії заряду швидше пролітають базу , рекомбінують -

ють , отже , і струм бази зменшується. Тому характеристика при Uке > 0 буде прохо-

дить нижче.

Для схеми включення з загальним емітером Iвих = f ( U вих ) при Iвх = Const , Ік = f ( Uке ) при Іб = Const

дані ілюстрації Рис . 70 - 72.

Резистором R1 ( дивіться схему Рис . 69 ) змінюється напруга база- емітер , а резистором

R2 підтримується постійним Uбк . Зазвичай вхідні характеристики вимірюються при двох

значеннях постійної напруги Uбк ( дивіться Рис . 73 , а).

Вхідні характеристики являють собою пряму гілку відкритого емітерного переходу .

2 ) Вихідна характеристика . Ця залежність вихідного струму від вихідної напруги

при постійному вхідному струмі.

Для схеми включення із загальною базою Ік = f ( Uбк ) при Iе = Const дана ілюстрація Рис . 74 , з ко-

торою видно , що вихідні характеристики являють собою прямі лінії , майже парал -

лельного осі напруги.

Це пояснюється тим , що колекторний перехід закритий незалежно від величини напруги

база- колектор , і струм колектора визначається тільки кількістю носіїв заряду , прохо-

дящих з емітера через базу в колектор , тобто струмом емітера.

2 ) Статичні характеристики транзистора за схемою ОЕ

На малюнку 75 зображена схема установки для вимірювання статичних характеристик транзит-

стору , включеного за схемою з ОЕ.

Iвх = f (Uвх ) при U вих = Const

Іб = f ( Uбе ) при Uке = Const

Ілюстрація вхідних характеристик приведена на Рис. 73 , б .

Динамічний режим

роботи транзистора

1 ) Поняття про динамічному режимі

2 ) Динамічні характеристики і поняття робочої точки

3 ) Ключовий режим роботи транзистора

1 ) Поняття про динамічному режимі .

Динамічним режимом роботи транзистора називається такий режим , при якому у вихід -

ної ланцюга варто навантажувальний резистор , за рахунок якого зміна вхідного струму або напря-

вання буде викликати зміна вихідної напруги .

На Рис . 76 резистор Rк - це колекторна навантаження для транзистора , включеного за схемою з

ОЕ , що забезпечує динамічний режим роботи .

ЄК = URк + Uке

URк = Ік ∙ Rк

ЄК = Uке + Ік ∙ Rк

Uке = Eк - Ік ∙ Rк - рівняння динамічного режиму роботи транзистора.

2 ) Динамічні характеристики і поняття робочої точки . Рівняння динамічної

чеського режиму є рівнянням вихідний динамічної характеристики . Так як це

рівняння лінійне , вихідна динамічна характеристика являє собою пряму чи -

нію і будується на вихідних статичних характеристиках ( дивіться Рис . 77).

Дві точки для побудови прямої знаходяться з початкових умов .

Ік при Uке = 0 називається струмом колектора насичення. Вихідна динамічна характери-

стіки отримала назву навантажувальної прямої . За навантажувальної прямої можна побудувати вхід -

ную динамічну характеристику. Але оскільки вона дуже близька до вхідних статичної ха-

характеристиці при Uке > 0 , то на практиці користуються вхідний статичною характеристикою .

Точка перетину навантажувальної прямої з однієї з гілок вихідний статичної характери-

Стік для заданого струму бази називається робочою точкою транзистора. Робоча точка позво-

ляє визначати струми і напруги , реально існуючі в схемі .

3 ) Ключовий режим роботи транзистора (транзистор в режимі ключа). В за -

висимости від стану pn переходів транзисторів розрізняють 3 види його роботи:

Режим відсічення . Це режим , при якому обидва його переходу закриті (і емітерний і

колекторний ) . Струм бази в цьому випадку дорівнює нулю. Струм колектора буде дорівнює обрат -

ному току. Рівняння динамічного режиму буде мати вигляд:

Uке = Eк - Iкбо ∙ Rк

Твір Iкбо ∙ Rк дорівнюватиме нулю. Значить , Uке → Eк .

Режим насичення - це режим , коли обидва переходу - і емітерний , і колекторний

відкриті , в транзисторі відбувається вільний перехід носіїв зарядів , струм бази буде

максимальний , струм колектора буде дорівнює струму колектора насичення.

Іб = max ; Ік ≈ Iк.н. ; Uке = Eк - Iк.н ∙ Rн

Твір Iк.н ∙ Rн буде прагнути до Eк . Значить , Uке → 0 .

Лінійний режим - це режим , при якому емітерний перехід відкритий , а колекторний

закритий.

Iб.max > Іб > 0 ;

Iк.н > Ік > Iкбо

Eк > Uке > Uке.нас

Ключовим режимом роботи транзистора називається такий режим , при якому робоча точка

транзистора стрибкоподібно переходить з режиму відсічення в режим насичення і навпаки , мі-

Резистор Rб обмежує струм бази транзистора , щоб він не перевищував максимально допу -

Стіма значення. У проміжок часу від 0 до t1 вхідна напруга і струм бази близькі до

нулю , і транзистор знаходиться в режимі відсічки. Напруга Uке , є вихідним і буде

близько до Eк . У проміжок часу від t1 до t2 вхідна напруга і струм бази транзистора

стають максимальними , і транзистор перейде в режим насичення. Після моменту вре-

мени t2 транзистор переходить в режим відсічення .

Висновок: транзисторний ключ є інвертором , тобто змінює фазу сигналу на 180 º .

Еквівалентна схема транзистора

1 ) Еквівалентна схема транзистора з ПРО

2 ) Еквівалентна схема транзистора з ОЕ

3 ) Еквівалентна схема транзистора з ОК

4 ) Транзистор як активний чотириполюсник

1 ) Еквівалентна схема транзистора з ПРО . Еквівалентна схема транзистора може

бути побудована на підставі того , що опір відкритого емітерного переходу со-

ставлять десятки Ом.

Rе = n ∙ 10 Ом

rб = n ∙ 100 Ом

rк = n ∙ ( 10 ÷ 100 ) кОм

Rвх = Rе = n ∙ 10 Ом

2 ) Еквівалентна схема транзистора з ОЕ .

3 ) Еквівалентна схема транзистора з ОК ( емітерний повторювач ) .

4 ) Транзистор як активний чотириполюсник .

Будь транзистор незалежно від схеми включення володіє рядом параметрів , які віз-

можна розбити на дві групи:

 Граничні параметри - все максимальні значення

 Параметри транзистора в режимі малого сигналу.

Дані параметри об'єднуються в кілька систем параметрів , які можна визна-

лити , представивши транзистор у вигляді активного чотириполюсника .

Чотириполюсником називається будь електричний пристрій , що має 2 вхідних і 2

вихідних затиску.

Активним чотириполюсником називається чотириполюсник , здатний підсилювати мощ -

ність .

Уявімо транзистор у вигляді активного чотириполюсника .

Привласнимо вхідним струму і напрузі індекс « 1 » , а вихідним індекс «2». для транзисторів

досить знати дві будь-які змінні з чотирьох - U1 , U2 , I1 , I2 . Дві інші визначаються-

ються з статичних характеристик транзистора. Змінні , які відомі або ж кото-

римі задаються , називаються незалежними змінними. Дві інші змінні , які

можна визначити , називаються залежними змінними. Залежно від того, які з

змінних будуть вибиратися у вигляді незалежних , можна отримати різні системи пара-

метрів в режимі малого сигналу.

Система h -параметрів транзистора

Y- параметри

1 ) h - параметри та їх фізичний зміст

2 ) Визначення h -параметрів по статичних характеристиках

3 ) Y- параметри транзисторів

1 ) h - параметри та їх фізичний зміст . В системі h -параметрів у вигляді незалежних

змінних прийняті вхідний струм і вихідна напруга . У цьому випадку залежні змін -

ві U1 = f ( I1 , U2 ) ; I2 = f ( I1 , U2 ) . Повний диференціал функцій U1 і I1 дорівнює

Перейдемо від нескінченно малих збільшень dU1 , dI1 , dU2 , dI2 до кінцевих приращениям . по-

лучім :

У режимі малого сигналу прирощення постійних складових ΔU1 , ΔI1 , ΔU2 і ΔI2 можна

замінити амплітудними значеннями змінних складових цих же струмів і напруг.

отримаємо :

У першому рівнянні системи ( 1 ) прирівняємо Um2 до 0 . отримаємо :

Um1 = h11 ∙ Im1  h11 = Um1 / Im1

h11 - це вхідний опір транзистора при Um2 = 0 тобто при короткому замиканні в

вихідний ланцюга по змінному струмі ( конденсатором ) .

У першому рівнянні системи ( 1 ) прирівняємо Im1 до 0 . отримаємо :

h12 - являє собою коефіцієнт зворотного зв'язку на холостому ходу у вхідному ланцюзі по

змінному струму. Коефіцієнт зворотного зв'язку показує ступінь впливу вихідного

напруги на вхідний ( котушкою індуктивності) .

У другому рівнянні системи ( 1 ) прирівняємо Um2 до 0 . отримаємо :

Um2 = 0

Im2 = h21 ∙ Im1

h21 = Im2 / Im1

h21 - коефіцієнт посилення по струму транзистора або коефіцієнт передачі струму при ко-

Ротко замиканні вихідний ланцюга по змінному струмі .

Прирівняємо в другому рівнянні системи ( 1 ) Im1 до 0 . отримаємо :

Im2 = h22 ∙ Um2

h22 = Im2 / Um2

h22 - вихідна провідність на холостому ходу у вхідному ланцюзі .

2 ) Визначення h -параметрів по статичних характеристиках . Так як стати-

теристики транзисторів вимірюються лише на постійному струмі , то при визначенні-

нии амплітудних параметрів струмів і напруг представимо у вигляді збільшення постійних

складових.

Величини h11 і h12 визначаються за вхідним характеристикам транзистора. Розглянемо гра-

фоаналітіческое визначення h параметрів на прикладі схеми із загальним емітером . зважаючи

того , що транзистор завжди працює з вхідним струмом , потрібно користуватися вхідними і

вихідними характеристиками ( дивіться Рис . 85 - 87). Будемо вважати , що навантажувальний опору-

тивление каскаду буде однаковим і для постійного , і для змінного струму. Необхідний h -

параметр розраховується з наведених нижче формул . З малюнків видно , що підставляла -

мі в формули дані знаходяться шляхом проекції точок на осі координат.

Параметри h21 і h22 визначаються за вихідним характеристикам ( дивіться Рис . 87).

3 ) Y- параметри транзисторів.

Параметри транзисторів є величинами , котрі характеризують їх властивості . За допомогою

параметрів можна оцінювати якість транзисторів , вирішувати завдання, пов'язані із застосуванням

транзисторів в різних схемах , і розраховувати ці схеми .

Для транзисторів запропоновано декілька різних систем параметрів , у кожної свої досто -

інство і недоліки.

Всі параметри поділяються на власні ( або первинні ) і вторинні . Власні характе-

різуют властивості самого транзистора , незалежно від схеми його включення , а вторинні пара-

метри для різних схем включення різні. Основні первинні параметри : коефіцієнти -

ент посилення по струму α , опору rб , R е , rк .

Y- параметри відносяться до вторинних параметрах . Вони мають сенс проводимостей . для

низьких частот вони є чисто активними і тому їх іноді позначають буквою g з со-

відповідними індексами.

Всі системи вторинних параметрів засновані на тому , що транзистор розглядається як

чотириполюсник ( 2 входи і 2 виходи ) . Вторинні параметри пов'язують вхідні і вихід -

ві змінні струми і напруги і справедливі тільки для малих амплітуд . Тому їх

ще називають низькочастотними малосигнальної параметрами.

Вхідна провідність : y11 = ΔI1 / ΔU1 , U2 = Const . Провідність зворотного зв'язку : y12 = ΔI1 /

ΔU2 , U1 = Const .

Параметр y12 показує , яка зміна струму I1 виходить за рахунок зворотного зв'язку при з -

менении вихідної напруги U2 на 1В. Провідність управління ( крутизна ) : y21 = ΔI2 /

ΔU1 , U2 = Const .

Величина y21 характеризує управляє вплив вхідної напруги U1 на вихідний струм

I2 і показує зміну I2 при зміні U1 на 1В. Вихідна провідність :

y22 = ΔI2 / ΔU2 , U1 = Const . У систему y -параметрів іноді додають ще статичний коеф-

фициент посилення по напрузі

μ = - ΔU2 / ΔU1 при I2 = Const . При цьому μ = y21 / y22 .

Гідність y -параметрів - їх схожість з параметрами електронних ламп. недолік -

дуже важко вимірювати y12 і y22 , т. к. треба забезпечити режим КЗ для змінного струму на вхо -

де , а що вимірює мікроамперметр має опір , порівнянне з вхідним опираючись-

ням самого транзистора. Тому набагато частіше використовують змішані ( або гібридні ) h

параметри , які зручно вимірювати і які призводять у всіх довідниках.

Температурні і частотні властивостітранзисторів. Фототранзистори

1 ) Температурне властивість транзисторів

2 ) Частотне властивість транзисторів

3 ) Фототранзистори

1 ) Температурне властивість транзисторів. Діапазон робочих температур транзистора

визначається температурними властивостями pn переходу . При його нагріванні від кімнатної

температури ( 25 º C ) до 65 º C опір бази та закритого колекторного переходу змен -

щує на 15 - 20 %. Особливо сильно нагрівання впливає на зворотний струм колектора Iкбо . він

збільшується в два рази при збільшенні на кожні 10 º C. Все це впливає на характеристики

транзистора і положення робочої точки ( дивіться Рис . 88).

Струм колектора збільшується , а напруга Uке зменшується , що рівносильно відкриванню

транзистора. Висновок: схеми включення транзисторів із загальним емітером вимагають температур -

ної стабілізації .

2 ) Частотне властивість транзисторів. Діапазон робочих частот транзистора визначаються-

ється двома факторами:

 Наявність бар'єрних ємностей на pn переходах. Колекторна ємність впливає значно

сильніше , так як вона підключається паралельно великому опору ( дивіться Рис .

89).

 Виникнення різниці фаз між струмами емітерами і колектора. Струм колектора від -

постає від струму емітера на час, необхідний для подолання бази носіями заряду.

1 ) ω1 = 0 , φ1 = 0

Із збільшенням частоти коефіцієнт посилення по струму зменшується. Тому для оцінки ча-

стотних властивостей транзистора застосовується один з основних параметрів - параметр граничні

ної частоти fгр . Граничною частотою називається така частота , на якій коефіцієнт усі-

лення зменшується в √ 2 разів. Коефіцієнт посилення через граничну частоту можна визна-

лити за формулою

βo - коефіцієнт підсилення на постійному струмі

f - частота , на якій визначається коефіцієнт посилення β .

3 ) Фототранзистори . Фототранзистором називається фотогальванічний приймач све-

тового випромінювання , фоточуттєвий елемент якого являє собою структуру тран-

зістора , що забезпечує внутрішнє посилення ( дивіться Рис . 93).

При висвітленні бази в ній відбувається фотогенерація носіїв зарядів . Неосновні носи -

тели заряду йдуть у колектор через закритий колекторний перехід , а основні накопичуючись -

ються в базі , підвищуючи тим самим відмикають дію емітерного переходу . Ток емітера , а

отже , струм колектора зростає. Значить , управління колекторним струмом фототран -

зістора здійснюється струмом бази транзистора.

польові транзистори

Уявлення про польових транзисторах

1 ) Пристрій і принцип дії польових транзисторів з керуючим

p - n переходом

2 ) Характеристики і параметри польових транзисторів

3 ) Польові транзистори з ізольованим затвором

4 ) Польові транзистори для ІМС , репрограмміруемом постійних запо -

Міна пристроїв ( РПЗУ )

1 ) Пристрій і принцип дії польових транзисторів з керуючим

p - n переходом . Польовим транзистором називається напівпровідниковий прилад, в якому

струм створюється тільки основними носіями зарядів під дією поздовжнього електричного

ського поля , а керуюче цим струмом здійснюється поперечним електричним полем , ко-

торое створюється напругою , прикладеним до керуючого електрода .

Кілька визначень:

 Висновок польового транзистора , від якого закінчуються основні носії зарядів , нази -

ється витоком.

 Висновок польового транзистора , до якого стікають основні носії зарядів , називаючи-

ється стоком.

 Висновок польового транзистора , до якого прикладається управляє напруга ,

створює поперечне електричне поле називається затвором.

 Ділянка напівпровідника , по якому рухаються основні носії зарядів , між pn

переходом , називається каналом польового транзистора.

Тому польові транзистори поділяються на транзистори з каналом p - типу або n - типу.

Умовне графічне зображення ( УДО ) польового транзистора з каналом n - типу зображення-

Принцип дії розглянемо на прикладі транзистора з каналом n - типу.

1 ) Uзи = 0 ; Ic1 = max ;

2 ) | Uзи |> 0 ; Ic2 < Ic1

3 ) | Uзи | >> 0 ; Ic3 = 0

На затвор завжди подається така напруга , щоб переходи закривалися. Напруга між-

ду стоком і витоком створює поздовжнє електричне поле , за рахунок якого через канал

рухаються основні носії зарядів , створюючи струм стоку.

1 ) За відсутності напруги на затворі pn переходи закриті власним внутріш -

ним полем , ширина їх мінімальна, а ширина каналу максимальна і струм стоку буде

максимальним.

2 ) При збільшенні замикаючої напруги на затворі ширина pn переходів збільшуючи-

ється , а ширина каналу і струм стоку зменшуються.

3 ) При досить великих напругах на затворі ширина pn переходів може уве-

лічіться настільки, що вони зіллються , струм стоку стане рівним нулю.

Напруга на затворі , при якому струм стоку дорівнює нулю , називається напругою відсічення .

Висновок: польовий транзистор являє собою керований напівпровідниковий прилад ,

так як , змінюючи напругу на затворі , можна зменшувати струм стоку і тому прийнято гово-

рить , що польові транзистори з керуючими pn переходами працюють тільки в режимі

збіднення каналу.

2 ) Характеристики і параметри польових транзисторів. До основних характери-

стікам відносяться:

 Стокозатворная характеристика - це залежність струму стоку ( Ic ) від напруги на за -

творе ( Uсі ) для транзисторів з каналом n - типу.

 Стокова характеристика - це залежність Ic від Uсі при постійній напрузі на

затворі ( дивіться Рис . 100). Ic = f ( Uсі ) при Uзи = Const

Основні параметри:

1 ) Напруга відсічення .

2 ) Крутизна стокозатворной характеристики . Вона показує , на скільки міліампер вимірюв-

нітся струм стоку при зміні напруги на затворі на 1В.

3 ) Внутрішній опір (або вихідна ) польового транзистора.

4 ) Вхідний опір.

Так як на затвор подається тільки замикає напруга , то струм затвора представлятиме

собою зворотний струм закритого pn переходу і буде дуже малий. Величина вхідного сопротив -

лення Rвх буде дуже велика і може досягати 109 Ом.

3 ) Польові транзистори з ізольованим затвором. Дані прилади мають за -

твор у вигляді металевої плівки , яка ізольована від напівпровідника шаром діелектричної

ка , у вигляді якого застосовується окис кремнію. Тому польові транзистори з ізольований -

вим затвором називають МОП і МДП. Абревіатура МОП розшифровується як метал ,

окис , напівпровідник. МДП розшифровується як метал , діелектрик , напівпровідник.

МОП - транзистори можуть бути двох видів:

 Транзистори з вбудованим каналом

 Транзистори з індукованим каналом.

Транзистор з вбудованим каналом.

Основою такого транзистора є кристал кремнію p - або n - типу провідності .

Для транзистора з n -типом провідності :

Uзи = 0 ; Ic1 ;

Uзи > 0 ; Ic2 > Ic1 ;

Uзи < 0 ; Ic3 < Ic1 ;

Uзи << 0 ; Ic4 = 0 .

Принцип дії .

Під дією електричного поля між стоком і витоком через канал будуть протікати

основні носії зарядів, тобто буде існувати струм стоку. При подачі на затвор поклади-

тельного напруги електрони як неосновні носії підкладки будуть притягатися в

канал. Канал збагатиться носіями заряду , і струм стоку збільшиться.

При подачі на затвор негативного напруги електрони з каналу будуть йти у

підкладку , канал обідниться носіями зарядів , і струм стоку зменшиться. при досить

великих напружених на затворі всі носії заряду можуть з каналу йти в підкладку , і

струм стоку стане рівним нулю.

Висновок: МОП - транзистори з вбудованим каналом можуть працювати як в режимі збагачення

ня , так і в режимі збіднення зарядів .

Транзистори з індукованим каналом.

Uз = 0 ; Ic1 = 0 ;

Uз < 0 ; Ic2 = 0 ;

Uз > 0 ; Ic3 > 0.

При напружених на затворі , рівних або менше нуля , канал відсутній , і струм стоку буде

дорівнює нулю. При позитивних напругах на затворі електрони , як не основні носите -

Чи заряду підкладки p - типу , будуть притягатися до затвору , а дірки будуть йти вглиб

підкладки. У результаті в тонкому шарі під затвором концентрація електронів перевищить кон-

центрацию дірок , тобто в цьому шарі напівпровідник поміняє тип своєї провідності . образу -

ється ( індукується ) канал , і в ланцюзі стоку потече струм.

Висновок: МОП - транзистори з індукованим каналом можуть працювати тільки в режимі обо-

збагачення .

МОП - транзистори володіють бόльшім вхідним опором , ніж транзистори з управ -

ляем переходом . Rвх = ( 1013 ÷ 1015 ) Ом.

4 ) Польові транзистори для ІМС РПЗУ . У інтегральних мікросхемах РПЗУ в

вигляді осередки для зберігання 1 біт інформації використовуються польові транзистори МНОП або

МОП - транзистори з плаваючим затвором. Абревіатура МНОП розшифровується слідую -

щим чином . М - метал , Н - сплав HSi3N4 , О - оксид металу , П - напівпровідник.

Принцип дії цих транзисторів заснований на тому , що в сильних електричних полях

електрони можуть проникати в діелектрик на глибину до 1 мкм.

МНОП -структура транзистора зображена на Рис. 106 .

Транзистори структури МНОП мають двошаровий діелектрик. Перший шар , завтовшки ме-

неї 1мкм - це окис кремнію , другий шар - товщиною кілька мікронів - нітрид кремнію.

Без програмування цей транзистор працює як звичайний МОП - транзистор і містить

логічну одиницю інформації .

Для програмування логічного нуля на затвор подають короткочасне напруга ( U =

25 ÷ 30В ) . Під дією цієї напруги електрони проходять шар окису малої товщини ,

але не можуть пройти шар нітриду кремнію і скупчуються на кордоні цих шарів. оскільки

напруга короткочасно , то вони залишаються на кордоні шарів цих діелектриків . залишати-

шись , електрони створюють об'ємний негативний заряд , який може зберігатися скільки

завгодно довго. За рахунок цього заряду виникає електричне поле , яке протидіє полю

затвора. Щоб індукувати канал в транзисторі , на затвор необхідно подавати більшу

напруга , щоб подолати дію поля об'ємного заряду. Це відповідає зрушенню сто -

козатворной характеристики вправо по осі напруг. При подачі на затвор імпульсу

запиту 5В канал индуцироваться не буде, струм стоку і струм в навантаженні відсутні, і на на -

грузке буде рівень логічного нуля .

Для стирання інформації на затвор подають також напруга 25 ÷ 30В , тільки отрицатель -

ної полярності .

Структура МНОП - транзисторів з плаваючим затвором.

У шарі оксиду кремнію створюється область з алюмінію або полікристалічного кремнію на

відстані менше 1 мкм від напівпровідника ( дивіться Рис . 108).

Принцип дії МОП - транзисторів з плаваючим затвором точно такий же , як у транзит-

сторов МНОП , тільки при програмуванні електрони накопичуються в плаваючому затворі

з алюмінію або кремнію. Стирання інформації здійснюється ультрафіолетовим облуче -

ням .

Тиристори

Тиристором називається чотиришаровий напівпровідниковий прилад, що з послідовно-

вательно чергуються областей p - і n - типів провідності .

Перший вид тиристорів - це діністори .

 діністоров - це діодні тиристори , або некеровані переключательние діоди.

 Тріністори - це керовані переключательние діоди.

 Сімістори - це симетричні тиристори , тобто тиристори із симетричною ВАХ .

Розглянемо ці прилади.

1 ) Пристрій і принцип дії діністоров .

2 ) Основні параметри тиристорів.

3 ) Тріністори .

4 ) Поняття про сімісторов .

1 ) Пристрій і принцип дії діністоров . Зовнішня p - область і висновок від

Зовнішня n - область і висновок від неї називається катодом. Внутрішні p - і n - області називають -

ся базами динистора . Крайні pn переходи називаються еміттерними , а середній pn перехід

називається колекторним . Подамо на анод «-» , а на катод «+». При цьому еміттерние перехо -

ди будуть закриті , колекторний відкритий. Основні носії зарядів з анода і катода НЕ

зможуть перейти в базу , тому через динистор буде протікати тільки маленький зворотний

струм , викликаний неосновними носіями заряду.

Якщо на анод подати «+» , а на катод «-» , емітерний переходи відкриваються , а колекторнийзакривається.

Діністори застосовуються у вигляді безконтактних перемикачів пристроїв , керованих

напругою .

Принцип дії .

Основні носії зарядів переходять з анода в базу 1 , а з катода - в базу 2 , де вони стано-

вятся неосновними і в базах відбувається інтенсивна рекомбінація зарядів , в результаті ко-

торою кількість вільних носіїв зарядів зменшується. Ці носії заряду підходять до

колекторному переходу , поле яких для них буде пришвидшує , потім проходять базу і

переходять через відкритий емітерний перехід , т. к. в базах вони знову стають основними.

Пройшовши емітерний переходи , електрони переходять в анод , а дірки - в катод , де вони вторинний-

але стають не основними і вдруге відбувається інтенсивна рекомбінація . В результаті

кількість зарядів , що пройшли через динистор , буде дуже мало і прямий струм також буде

дуже малий. При збільшенні напруги прямий струм незначно зростає , т. к. збільшуючи-

ється швидкість руху носіїв , а інтенсивність рекомбінації зменшується. При повели-

чении напруги до певної величини відбувається електричний пробій колектор -

ного переходу . Опір динистора різко зменшується , струм через нього сильно увеличи -

ється і падіння напруги на ньому значно зменшується. Вважається , що динистор

перейшов з вимкненого стану у включене .

2 ) Основні параметри тиристорів.

Напруга включення ( Uвкл ) - це напруга , при якому струм через динистор на -

чинает сильно зростати.

Струм включення ( Iвкл ) - це струм, відповідний напрузі включення.

Ток виключення ( Iвикл ) - це мінімальний струм через тиристор , при якому він

залишається ще у включеному стані.

Залишкова напруга ( Uост ) - це мінімальна напруга на тиристорі під вклю -

ченном стані.

Струм витоку ( Io ) - це струм через тиристор у вимкненому стані при заданому

напрузі на аноді .

Максимально допустима зворотна напруга ( Uобр.max ) .

Максимально допустимий пряме напруга ( Uпр.max ) .

Час включення ( tВКЛ ) - це час, за який напруга на тиристорі зменшиться

до 0,1 напруги включення.

Час включення ( tвикл ) - це час, за який тиристор переходить з включеного в

вимкнений стан .

3 ) Тріністори .

Тріністори можна включати при напружених , менших напруги включення динистора .

Для цього достатньо на одну з баз подати додаткову напругу таким чином , що -

б створюване їм поле збігалося за напрямком з полем анода на колекторному переході.

Можна подати струм управління на другу базу , але для цього на керуючий електрод необ-

димо подавати напругу негативної полярності щодо анода , і тому разли-

чають тріністори з керуванням по катоду і з управлінням по анода.

На малюнках 114 - 119 зображені умовні графічні позначення ( УДО ) розглядає-

екпортувати в даній темі приладів. На малюнку 114 - УДО динистора , на 115 - тринистора з управ -

ленням по катоду , на 116 - тринистора з керуванням по анода , на 117 - некерованого си-

містора , на 118 - симистора з керуванням по анода, і на 119 , відповідно, симистора з

управлінням з катода.

Маркування розшифровується так :

КН102Б - кремнієвий динистор ; КУ202Е - кремнієвий тринистор . Перша буква «К» позна -

чає матеріал кремній. Друга - тип приладу - динистор або тринистор . Третя група -

тризначний цифровий код , і четверта група , розшифровуються так само , як і всі рассмот -

ренние раніше напівпровідникові прилади.

4 ) Поняття про сімісторов .

Подамо позитивне напруга на області p1 , n1 , а негативне на області p2, n3 .

Перехід П1 закритий, і вимикається з роботи область n1 . Переходи П2 і П4 відкриті і ви -

полняют функцію емітерний переходів . Перехід П3 закритий і виконує функцію колектив-

торного переходу .

Таким чином , структура симистора представлятиме собою області p1 , n2 , p2, n3 , де p1

буде виконувати функції анода , а n3 - катода при прямому включенні. подамо напруга

плюсом на області p2, n3 , а мінусом на області p1 , n1 . Перехід П4 закриється і вимкне з

роботи область n3 . Переходи П1 і П3 відкриються і будуть грати роль емітерний переходів .

Перехід П2 закриється і буде виконувати функцію колекторного переходу .

Структура симистора буде мати вигляд p2- n2 , p1 - n1 , де область p2, буде анодом , а

n1 - катодом. У результаті буде виходити структура в прямому включенні , але при зворотному

напрузі. ВАХ буде мати вигляд , зображений на Рис. 121 .

Електровакуумні прилади

Електровакуумний діод

1 ) Електровакуумний діод , пристрій і принцип дії електроваку -

розумного діода

2 ) ВАХ та основні параметри електровакуумного діода

1 ) Електровакуумний діод , пристрій і принцип дії електроваку -

розумного діода. Електровакуумними приладами називаються електронні прилади , принцип

дії яких заснований на русі електронів у вакуумі при роботі в різних елек -

тричних полях. Принцип дії всіх електровакуумних приладів заснований на явищі

електронної емісії .

 Термоелектронна емісія .

 Автоелектронна (або « холодна» ) емісія - це емісія під впливом сильних

електричних полів.

 Фотоелектронна емісія .

 Вторинна емісія

Якщо електрон володіє достатньою швидкістю і кінетичної енергією і вдаряється при

цьому в поверхню матеріалу , він віддає свою енергію електронам матеріалу , які вильоту -

тануть з його поверхні. Причому кожен ударяющий електрон , який називають первинним

електроном , може « вибивати» з поверхні матеріалу кілька вторинних електронів.

Вакуумний діод має два основних електроди - катод і анод. Катод - це електрод , з кото-

рого відбувається термоелектронна емісія . Катоди бувають двох видів - з прямим і косвен -

вим напруженням . Катоди з непрямим напруженням зазвичай виконуються у вигляді трубки , усередині кото-

рій розташована спіраль , звана ниткою напруження . На неї подається напруга напруження , вона

розігріває катод для отримання термоелектродного емісії . Катоди прямого напруження - це ка -

тоди , у яких напруга напруження подається безпосередньо на катод .

Анод - це електрод , що знаходиться зазвичай під позитивним потенціалом , до якого

прагнуть електрони , що вилетіли з катода .

Принцип дії .

При подачі на анод позитивного напруги між катодом і анодом створюється прискорюю -

щее електричне поле для електронів , що вилітають з катода . Вони прилітають до анода , і че-

рез діод протікає прямий струм анода Ia. При подачі на анод негативної напруги відно-

сительно катода для електронів , що вилітають з катода , утворюється гальмуючий електричного

ське поле , вони будуть притискатися до катода і струм анода буде дорівнює нулю. Відмінність електрових -

куумних діодів від напівпровідникових полягає в тому , що зворотний струм у них повно -

стю відсутня.

2 ) ВАХ та основні параметри електровакуумного діода. ВАХ електровакуум -

ного діода зображена на Рис. 124 .

 Нелінійний ділянку. Ток повільно зростає , що пояснюється протидією

полю анода об'ємного негативного електричного заряду , який утворюється

електронами , що вилітають з катода за рахунок емісії.

 Лінійний ділянку. При досить сильному електричному полі анода об'ємний елек -

тріческое заряд зменшується і не має значного впливу на поле анода .

 Ділянка насичення. Зростання струму при збільшенні напруги сповільнюється , а потім повно -

стю припиняється т. к. всі електрони , що вилітають з катода , досягають анода .

ВАХ анода прямо пропорційно залежить від напруги напруження ( дивіться Рис . 125).

Основні параметри діода.

 Крутизна ВАХ .

 Внутрішній опір

 Максимально допустима зворотна напруга

 Максимально допустима розсіює потужність

Pa.max = Ia.max ∙ Ua.max

Система маркування .

6 Д 20 П

1 2 3 4

Маркування являє собою систему позначень , яка містить чотири елементи :

1 . Напруга напруження , округлене до цілого числа.

2 . Тип електровакуумного приладу . Для діодів :

Д - одинарний діод .

X - подвійний діод , тобто містить два діоди в одному корпусі із загальним напруженням .

C - високовольтний діод або кенотрон .

3 . Порядковий номер розробки ЕВП .

4 . Конструктивне виконання .

1 ] С - скляний балон з пластмасовим цоколем (дуже старе виконання , не менше

ніж 24 мм - діаметр балона ) .

2 ] П - пальчикові лампи (скляний балон діаметром 19 або 22,5 мм з жорсткими

штирові висновками без цоколя ) .

3 ] Б - мініатюрна серія з гнучкими висновками і з діаметром корпусу менше 10мм .

4 ] А - мініатюрна серія з гнучкими висновками і з діаметром корпусу менш 6мм.

5 ] К - серія ламп в керамічному корпусі.

6 ] - четвертий елемент відсутній ( 6К4 ) - це говорить про відсутність металевого

корпусу.

Триод

1 ) Пристрій і принцип дії тріода

2 ) ВАХ та основні параметри тріода

1 ) Пристрій і принцип дії тріода . Тріодом називається електровакуумний

прилад , у якого крім анода і катода мається третій електрод , який називається сет-

кою.

Сітка в тріоді має вигляд спіралі і розташовується між анодом і катодом , ближче до катода .

УДО тріода зображено на Рис. 127 .

Розглянемо вплив сітки на роботу тріода .

1 ) Uc = 0 ; Ia1 > 0.

При напрузі на сітці , що дорівнює нулю , сітка не робить впливу на поле анода , і в

ланцюзі анода протікатиме струм.

2 ) Uc > 0 ; Ia2 > Ia1 ; Ic > 0.

При позитивних напругах на сітці між нею і катодом виникає поле сітки , лінії

напруженості якого спрямовані так само, як і у анода . Результуюче дію поля на

електрони посилюється , і струм анода зростає. Позитивно заряджена сітка перехоплюючи -

ет частина електронів , за рахунок чого виникає струм сітки Ic .

3 ) Uc < 0 ; Ia3 < Ia1 .

При подачі негативної напруги на сітку поле сітки протидіятиме полю

анода , за рахунок чого анодний струм зменшується.

4 ) Uc << 0 ; Ia4 = 0 .

Переводчик Google для бизнеса –Инструменты переводчикаПереводчик сайтовСлужба "Анализ рынков"

Отключить моментальный переводО Переводчике GoogleМобильная версияКонфиденциальностьСправкаОтправить отзыв

При досить великих негативних напругах на сітці між катодом і сіткою со-

здается настільки сильне гальмуючий електричне поле , що електрони , що вилітають з ка -

тода , будуть притискатися знову до катода і струм анода буде дорівнює нулю.

Напруга на сітці , при якому Ia стає рівним нулю , називається напругою

замикання або напругою відсічення .

Висновок: змінюючи напругу на сітці , можна управляти струмом анода , і тому сітка в тріоді

отримала назву керуючої .

Система маркування триодов аналогічна системі маркування електровакуумних діодів.

Певна буква у 2 групі показує , що даний прилад тріод . Буква C - одинарний

тріод , H - подвійний тріод .

2 ) ВАХ та основні параметри тріода .

 Анодносеточная характеристика . Ia = f ( Uc ) при Ua = Const .

 Анодна характеристика . Це залежність струму анода від напруги анода при посто -

янном напрузі на сітці .

4 . Проникність тріода .

Так як електроди тріода виконуються з металу , а між ними - вакуум , то в тріоді обра-

зуются три міжелектродні ємності. Вхідний сигнал на тріод подається між сіткою і като -

будинок , а вихідний сигнал знімається між анодом і катодом. Тому ємність сітка- катод на -

зиваєтся вхідний ємністю , ємність сітка- анод називається прохідний ємністю , так як

безпосередньо пов'язує вхід з виходом , ємність анод - катод називається вихідний ємністю. ці

ємності впливають на частотні властивості тріода . Найбільш сильний вплив робить прохід -

ная ємність.

Тетрод

1 ) Пристрій і схема включення тетрода

2 ) динатронного ефект

3 ) Променевий тетрод

1 ) Пристрій і схема включення тетрода . Одним з основних недоліків тріода

є невеликий коефіцієнт посилення ( зазвичай μ ≤ 30).

Для збільшення коефіцієнта посилення треба послабити вплив поля анода на катод порівня -

рівняно з впливом поля сітки. З цією метою між керуючою сіткою і анодом була введе-

на другому сітка , яка отримала назву екранної сітки.

Електровакуумний прилад, що складається з катода , анода і двох сіток , називається тетродом .

УДО тетрода зображено на малюнку 135 .

На екранну сітку подається строго постійне позитивне напруга , рівне 0,6 ÷ 0,8

напруги анода .

Uc2 = ( 0,6 ÷ 0,8 )

Поиск по сайту: