Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Вплив від’ємного зворотного зв’язку на нелінійні і частотні спотворення



Нелінійні спотворення в підсилювачах з ВЗЗ. Припустимо, що при вхідній напрузі підсилювальний каскад без зворотного зв’язку дає на виході, крім напруги такої самої форми, як вхідна, ще напругу спотворень або перешкод .

З уведенням ВЗЗ на виході каскаду виникає нова напруга спотворень або перешкод , яка дорівнює різниці напруги , що вноситься підсилювальним каскадом, і напруги , яка проходить через коло зворотного зв’язку і підсилювач, а отже помноженої на :

(15)

Звідки (16)

Отже, від’ємний зворотний зв'язок зменшує спотворення і перешкоди, які вносить підсилювальний каскад, в разів. Формула (16) справедлива для будь-якої гармонійної складової, а тому справедлива і для коефіцієнта нелінійних спотворень:

(17)

Де - коефіцієнт нелінійних спотворень підсилювача з ВЗЗ; – його значення без зворотного зв’язку.

Вплив від’ємного зворотного зв’язку на частотну характеристику підсилювача. Нехай, у підсилювач коефіцієнт частотних спотворень . Тобто підсилення на нижніх частотах менше, ніж на середніх .

При від’ємному зворотному зв’язку

,

 

де і – коефіцієнти підсилення відповідно на середніх і низьких частотах при введенні в підсилювач ВЗЗ.

Але , , отже

 

,

 

або (18)

 

Оскільки < , то відношення < 1. Отже, <

Таким чином, уведення від’ємного зворотного зв’язку дає змогу дістати більш рівномірну частотну характеристику підсилювача(див. рис. 5).

Рис. 5. Частотна характеристика підсилювача:

А – без ВЗЗ; б – з ВЗЗ;

 

 

СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ

1. Основы электроники и микроэлектроники Б.С. Гершунский. – 3-е изд., перераб. И доп. – К.: Вища школа. Главное изд- во, 1987. – 432с.

 

2. Браммер Ю.А., Пащук И.Н.. Импульсная техника. – 5-е изд., перераб. И доп. – М.:Высш.шк., 1985. – 320 с.

 

3. Прищепа М.М., Погребняк В.П.. Мікроелектроніка. В 3 ч..4.1. Елементи мікроелектроніки: Навч. Посіб. (За ред.. М.М.Прищепи). – К.: Вища шк., 2004. – 431 с. : іл.

 

4. Прищепа М.М., Погребняк В.П. Мікроелектроніка. В 3 ч. 4.2. Елементи мікросхемо техніки: Навч. Посіб. ( За ред.. М.М. Прищепи) – К.: Вища шк., 2006. – 503 с.: іл.

 

5. Алексеенко А.Г. Шатурин И.Н. Микросхемотехника: Учеб. Пособие для вузов. – 2-изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1990. – 496с.

 

6. Колонтаєвський Ю.П., Сосков А.Г. Промисловва електроніка та мікросхемо-техніка: теорія і практикум. За ред.. А.Г.Соскова. – К. Каравела, 2003. – 368с.

 

7. Електроніка та мікросхемо-техніка.: навчальний посібник для вищих учбових закладів. Андронік Буняк,- Київ - Тернопіль: 2001. – 382с.

 

8. Електроніка і мікросхемотехніка: Підручник для вищ. навч. закл. освіти: У4-хт. / В.І. Сенько, М.В. Панасенко, Є.В. Сенько та ін.; Під ред.. В.І. Сенька. – К.: ТВО Видавництво “ Обереги ”, 2000. – т.1. Елементна база електронних пристроїв. – 300с.

 

9. Електроніка і мікросхемотехніка: Підручник для вищ. навч. закл.: У4-хт. / В.І. Сенько, М.В. Панасенко, Є.В. Сенько та ін.; Під ред.. В.І. Сенька. – Харків: Фоліо,2002. – т.г. Аналогові та імпульсні пристрої. – 510с.

 

10. Колонтаєвський Ю.П., Сосков А.Г. Електроніка і мікросхемотехніка: Підручник. 2-е вид. / За ред. А.Г. Соскова. – К.: Каравела, 2009. – 416с.

 

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.