Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Еквівалентна схема підсилювального каскаду з резистивно – ємнісними зв’язками



На рис.16 приведена схема транзисторного підсилювального каскаду, а на рис.17 повна еквівалентна схема підсилювального каскаду з резистивно – ємнісними зв’язками.

Повна еквівалентна схема підсилювача (рис.17), а також еквівалентні схеми, які відображають його властивості в області низьких, середніх і високих частот(рис.18) складаються так, що в них показують лише ті елементи, які мають найбільший вплив на властивості каскаду в відповідному діапазоні частот. Так, транзистор зміняють Т – подібною еквівалентною схемою, а паралельно або послідовно з’єднані опори і ємності заміняють їх еквівалентами.

Резистори заміняють еквівалентним опором

Ємність представляє собою повну ємність, якою навантажується каскад і визначається так:

,

де – вхідна наступного каскаду;

– сумарна монтажна ємність схеми.

На низьких частотах (НЧ) ємнісний опір паралельно ввімкнених і буде мати велику величину і на роботу схеми не впливатиме. Ємність має велику величину, значить ємність опір буде малий, атому трати напруги на елементах нехтуємо. В результаті еквівалентного схема буде мати вигляд показаний на рис.18,а. Розділяючі конденсатори ввімкнені послідовно. На Н4 опір буде великий, що приводить до зменшення коефіцієнта підсилення.

На середніх частота (Ср.Ч) опір розділяючи конденсаторів зменшиться до такої величини, що їх вплив можна не враховувати. Опір ємностей і зменшується не на стільки, щоби здійснювати шунтуючу дію, і тому на Ср.4 їх теж можна не враховувати. На середніх частотах еквівалента схема буде мати вигляд, показаний на рис.18,б. Так як на Ср.4 ні бар’єрна ємність колекторного переходу , ні не впливають на роботу підсилювача, то коефіцієнт підсилення на цих частотах буде найбільшим.

На високих частотах (ВЧ) розділяючи конденсатори мають дуже малий опір, і так як вони ввімкнені послідовно, то вони не впливають на роботу схеми підсилювача. Ємності і ввімкнені в паралель, шунтують колекторний перехід транзистора і вихід підсилювача своїм малим опором, що приводить до зменшення коефіцієнта підсилення. Еквівалентна схема підсилювача на ВЧ зображена на рис.18,в.

На рис.19. приведена АЧХ підсилювача з резистивно – ємнісним міжкаскадним зв’язком, яка показує вплив зміни частоти на коефіцієнт підсилення.

Рис.19. АЧХ підсилювача з резистивно – ємнісним зв’язками

 

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.