Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Будова принципи роботи диністорів



Тиристор – це напівпровідниковий прилад з трьома або більше р – n переходами, вольт – амперна характеристика якого має ділянку з негативним диференціальним опором і який використовується для перемикання.

Диністор – це тиристор, який має два зовнішніх виводи. Диністор має чотиришарову структуру, як зображено на рис. 1. Він має три р-n переходи, при- чому, за вказаної полярності джерела Е, два крайніх з них (П1 і П3) зміщені в прямому напрямку, а середній (П2)-у зворотному (рис.1,а).

а) б)

Рис. 1. Структура диністора та його модель у вигляді двох транзисторів.

 

Тиристор можна представити у виді еквівалентної схеми (моделі), яка складається із двох транзисторів VT1 та VT2 р-n-р та n-р-n типу відповідно (Рис.1.,б). При цьому виходить, що переходи П1 і П3 є емітерними переходами цих транзисторі, а перехід П2 для обох транзисторів є колекторним.

Область бази Б1 транзистора VT1 одночасно э колекторною областю транзистора VT2, а область бази Б2 транзистора VT2 - колекторною областю транзистора VT1.

Як правило, тиристори виготовляють із кремнію, причому емітерні переходи можуть бути сплавними, а колекторний перехід виготовляється методом дифузії. Використовується також планарна технологія. Концентрація домішок в базових областях значно менша, ніж в емітерних областях.

Колекторний струм першого транзистора є базовим для другого , а колекторний струм другого транзистора базовим першого . Таке вмикання забезпечує внутрішній додатній зворотний зв’язок: якщо увімкнеться хоча б один транзистор, то надалі вони будуть підтримувати один одного в увімкненому стані.

Струм диністора ­­– це емітерний струм першого транзисторного або другого , тобто

(1)

З другого боку струм I можна розглядати як суму двох колекторних струмів і , рівних відповідно:

,

 

де - коефіцієнти передачі емітерного струму транзисторів VT1, VT2. Крім цього до складу струму диністора I входить початковий некерований (тепловий) струм колекторного переходу .

Таким чином можемо записати

 

або (2)

 

Звідки (3)

Проаналізуємо отриманий вираз. Для малих значень струмів і струм I теж порівняно невеликий. Із зростанням напруги на диністорі коефіцієнти зростають (за рахунок звуження баз транзисторів через розширення зворотного зміщення перехду ), а одже зростає і струм через диністор I.

При деякому значенні струму, що зветься струмом вмикання диністора, отримаємо і вихідний струм мав би зростати до нескінченості, якби не обмежуюча дія опору навантаження . Надалі прилад утримується в увімкненому стані за рахунок внутрішнього зворотного зв’язку. Вольт-амперна характеристика (ВАХ) диністора представлена на рис. 2.

Рис.2. ВАХ диністора та його умовне позначення, де

– напруга вмикання диністора;

– струм вмикання;

– струм утримання;

– гранично допустимий стрим приладу;

– напруга що відповідає .

На ділянці ОА струм невеликий і росте повільно. В цьому режимі диністор закритий. На опір колекторного переходу впливають два взаємо протилежні процеси. З однієї сторони, підвищення зворотної напруги на цьому переході збільшує його опір, так як під дією зворотної напруги основні носії виходять в різні сторони від границі, перехід збіднюється основними носіями заряду. Але, з іншої сторони, підвищення прямої напруги на емітерних переходах , і підсилює інжекцію носіїв, які підходять до переходу , збагачують його і зменшують його опір. До точки А перевагу має перший процес і опір росте, але все повільніше і повільніше, так як поступово підсилюється другий процес.

Поблизу точки А при деякій напрузі, яка називається напругою вмикання, вплив обох процесів зрівноважується, а потім навіть дуже мале збільшення вхідної напруги створює перевагу другого процесу і опір переходу починає зменшуватися. Тоді виникає процес відкривання диністора.

Струм скачко подібно зростає (ділянка АБ), так як збільшення напруги на і зменшує опір і напругу на ньому, за рахунок чого ще більше зростають напруги на і , а це приводить до ще більшого зростання струму, зменшенню опору . В результаті цього процесу встановлюється режим (ділянка БВ) , коли диністор відкритий. Струм в цьому режимі визначається опором Rн.

 

Триністори

Триністор (тиристор) – це чотиришаровий перемикаючий прилад, у якого від однієї з базових областей зроблено вивід-керуючий електрод.

Структура та умовне позначення триністора (тиристора) приведена на рис.2.

Рис.2. Структура та умовне позначення тиристора

Подаючи між керуючим електродом та катодом пряму напругу на р-n перехід, що працює у прямому напрямку, можна регулювати величину . Ця властивість тиристора приведена на його BAX (рис.3.)

Якщо подати в керуюче коло імпульс прямої напруги, тиристор вмикається і залишається увімкненим після знаття сигналу керування.

Вимкнути тиристор можна лише зниженням струму у його основному колі нижче струму утримання . На рис.4. приведена схема вмикання тиристора.

Рис.3. BAX тиристора

Рис.4. Найпростіша схема вмикання тиристора

У колах змінного струму тиристори використовуються у якості керованих електронних перемикачів. На рис. 5 приведено схему найпростішого однофазного регулятора та часові діаграми його роботи.

Рис.5 Однофазний регулятор:

а) електрична схема;

б) часові діаграми;

Схема керування СК виробляє імпульсні сигнали і . Змінюючи затримку подачі сигналу керування відносно переходу напруги мережі через нуль – кут регулювання α - від О до π, можна регулювати напругу на навантаженні від нуля до максимуму.

Основні параметри тиристорів:

1) Статичні параметри:

- струм вмикання

- струм утримання (мінімальний прямий струм увімкненого тиристора при розімкнутому колі керування, при подальшому значенні якого тиристор переходить у непровідний стан);

2) Граничні параметри:

- максимально допустиме значення середнього струму через тиристор ;

- максимально допустиме амплітудне значення зворотної напруги ;

- допустима середня потужність втрат у відкритому стані;

3) Динамічні параметри:

- час вмикання (час переходу тиристора із непровідного стану в провідний);

- час вимикання (мінімальний проміжок часу між проходженням через нуль прямого струму та повторним прикладанням напруги до тиристора).

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.