Для розглянутих на рис. 1; 2; 3 схем ввімкнення транзистора коефіцієнт підсилення за струмом, напругою і потужністю визначається наступними виразами.
Схема з спільною базою (СБ):
(27)
(28)
(29)
Схема з спільним емітером (СЕ):
(30)
(31)
(32)
Схема зі спільним колектором (СК):
(33)
(34)
(35)
Із приведених виразів видно, що коефіцієнти підсилення за струмом, напругою та потужністю суттєво залежать від схем ввімкнення транзистора, а також від величини вхідного опору.
Еквівалентні Т – подібні схеми транзистора
При побудові еквівалентної схеми транзистора виходять з того, що емітерний і колекторний переходи, а також тонкий шар бази мають певний опір, який дорівнює відповідно rЕ, rК і rБ.
Тому здавалося би, що найпростіша еквівалентна схема транзистора повинна складатися тільки з опорів rЕ, rК і rБ, з’єднаних між собою за схемою на рис.7,а. Для сучасних транзисторів величина rЕ становить десятки Ом, rБ – сотні Ом, а rК – сотні тисяч Ом.
Рис. 7. Еквівалентні Т – подібні схеми транзистора:
а) – без генератора струму; б) – для схеми з СБ; в) – для схеми з СЕ;
г) – для схеми з СК.
При подачі на вхід такої схеми (до затискачів 1-1) джерела вхідного сигналу в опірі rК і в навантаженні RН підімкненому до затискачів 2-2, проходитиме значно нижчий струм, ніж в опорі rЕі в колі бази. Такий режим не відповідає реальним умовам роботи транзистора, який має підсилювальні властивості. В дійсності через опір RН проходитиме струм Тому треба змінити розподіл струму між ділянками еквівалентної схеми. Це можна зробити, під’єднавши паралельно rК додатковий генератор, що виробляє струм (рис. 7,б).
Тоді, для схеми рис. 5,б можемо записати рівняння за другим законом Кірхгофа:
(24)
Із цьго виразу видно, що вхідний опір транзистора для схеми з СБ:
(36)
Вхідний опір каскаду з СБ досить низький: одиниці – десятки Ом.
На рис. 7,в Приведена еквівалентна схема каскаду з СЕ. В ній для відображення реального підсилювального режиму роботи транзистора в вихіднім колі ввімкнено додатковий генератор струму .