Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Значения энергии и заселенность уровней



 

№ МО Неприводимое представление Е(эВ) заселенность
А1 -34,7822
Е -31,7853
А1 -31,2058
Е -30,6392
В1 -30,3068
А1 -24,8491
Е -20,4874
А1 -17,3670
Е -17,0826
В2 -13,3650
Е -12,9141
В1 -12,8576
Е -12,8000
Е -12,6058
А2 -12,1749
Е -11,9986
А1 -11,8339
В1 -11,4193
Е -11,2541
Е -11,1257
А1 -10,5828
Е -10,1003
А1 -7,5719
Е -3,0670

 


Состав МО валентной оболочки

№ МО Неприводимое представление 1s(Cl) 2s(Cl) 3s(Cl) 2p(Cl) 3p(Cl) 1s(F2) 2s(F2) 2p(F2) 1s(F3) 2s(F3) 2p(F3)
А1 0,0 0,0 42,9 0,0 0,8 0,0 15,3 1,5 0,0 35,6 3,9
А1 0,0 0,0 1,2 0,0 4,6 0,0 72,0 0,5 0,0 21,1 0,6
А1 0,0 0,0 45,3 0,0 0,6 0,0 5,9 1,4 0,0 43,2 3,6
А1 0,0 0,0 0,3 0,0 54,2 0,0 6,4 29,2 0,0 0,1 9,9
А1 0,0 0,0 0,3 0,0 1,7 0,0 -0,2 26,9 0,0 0,0 71,1
А1 0,0 0,0 6,8 0,0 2,1 0,0 0,0 2,3 0,0 -0,2 88,9
А1 0,0 0,0 3,1 0,0 36,1 0,0 0,5 38,2 0,0 0,1 22,0
А2                     100,0
В1                 0,0 99,3 0,7
В1                 0,0 0,7 99,3
В1                 0,0 0,0 100,0
В2                     100,0
Е       0,0 8,0 0,0     0,0 91,1 0,9
Е       0,0 74,1 1,4     0,0 9,0 15,6
Е       0,0 0,4 64,7     0,0 -0,1 34,9
Е       0,0 3,8 17,5     0,0 -0,1 78,8
Е       0,0 0,0 11,9     0,0 0,0 88,1
Е       0,0 13,7 4,4     0,0 0,1 81,8
Е       0,0 16,1 0,0     0,0 81,8 2,8
Е       0,0 34,2 2,0     0,0 16,2 47,7
Е       0,0 0,1 3,7     0,0 0,0 96,2
Е       0,0 0,1 64,4     0,0 0,0 35,5
Е       0,0 0,0 29,0     0,0 0,0 71,0
Е       0,0 49,6 0,9     0,0 2,7 46,7

 

 

Значения заселенностей перекрывания

 

  1s(Cl) 2s(Cl) 3s(Cl) 2p(Cl) 3p(Cl) 1s(F2) 2s(F2) 2p(F2) 1s(F3) 2s(F3) 2p(F3)
1s(Cl) 1,0001                    
2s(Cl) 0,0000 1,0057                  
3s(Cl) 0,0000 0,0000 1,1656                
2p(Cl) 0,0000 0,0000 0,0000 3,0007              
3p(Cl) 0,0000 0,0000 -0,0001 0,0000 1,8388            
1s(F2) 0,0000 0,0000 -0,0001 0,0000 -0,0004 1,0005          
2s(F2) 0,0000 -0,0001 -0,0133 0,0000 -0,0356 0,0000 1,0523        
2p(F2) 0,0000 -0,0003 0,0045 -0,0001 0,0705 0,0000 0,0001 2,5375      
1s(F3) 0,0000 0,0000 -0,0005 0,0000 -0,0014 0,0000 0,0000 0,0000 4,0019    
2s(F3) 0,0000 0,0000 -0,0829 -0,0002 -0,0978 0,0000 0,0001 -0,0047 0,0000 4,1597  
2p(F3) 0,0000 -0,0047 -0,1041 -0,0005 0,2311 0,0000 -0,0086 -0,0043 0,0000 -0,0021 0,7212

10 вариант

Молекула BrF5

Симмерия молекулы C4v

Координаты атомов

 

Тип атома Координаты атома
x y z
0,000000 0,000000 0,000000
0,000000 0,000000 1,680000
1,790000 0,000000 0,000000
0,000000 1,790000 0,000000
-1,790000 0,000000 0,000000
0,000000 -1,790000 0,000000

 

Энергия Ферми -9,91 эВ

 

Значения энергии и заселенность уровней

№ МО Неприводимое представление Е(эВ) заселенность
А1 -34,0292
А1 -30,8200
Е -30,4547
Е -29,6881
В1 -29,4964
А1 -24,3593
Е -18,5835
А1 -16,5743
Е -15,9920
Е -12,7446
Е -12,6185
В2 -12,1732
В1 -11,8947
Е -11,8809
А2 -11,3573
А1 -11,3244
Е -11,2067
В1 -10,7757
Е -10,6957
Е -10,6563
А1 -10,2468
Е -9,5685
А1 -6,1875
Е -3,9584

Состав МО валентной оболочки

№ МО Неприводимое представление 1s(Br) 2s(Br) 3s(Br) 4s(Br) 2p(Br) 3p(Br) 4p(Br) 3d(Br) 1s(F2) 2s(F2) 2p(F2) 1s(F3) 2s(F3) 2p(F3)
А1 0,0 0,0 0,0 28,2 0,0 0,0 3,2 0,0 0,0 50,8 3,5 0,0 12,9 1,4
А1 0,0 0,0 0,0 9,7 0,0 0,0 2,8 0,0 0,0 32,6 -0,1 0,0 53,3 1,6
А1 0,0 0,0 0,0 52,1 0,0 0,0 1,3 0,0 0,0 8,2 2,2 0,0 33,6 2,6
А1 0,0 0,0 0,0 0,9 0,0 0,0 42,2 0,0 0,0 7,7 43,7 0,0 0,1 5,4
А1 0,0 0,0 0,0 0,1 0,0 0,0 4,1 0,0 0,0 -0,2 15,4 0,0 0,1 80,6
А1 0,0 0,0 0,0 5,0 0,0 0,0 1,2 0,0 0,0 0,0 1,7 0,0 -0,1 92,2
А1 0,0 0,0 0,0 4,0 0,0 0,0 45,2 0,0 0,0 0,9 33,7 0,0 0,1 16,2
А2                           100,0
В1             0,0         0,0 99,4 0,6
В1             0,0         0,0 0,6 99,4
В1             0,0         0,0 0,0 100,0
В2             0,0             100,0
Е         0,0 0,0 4,8 0,0     0,0 0,0 94,6 0,6
Е         0,0 0,0 75,4 0,0     4,7 0,0 14,5 14,5
Е         0,0 0,0 0,5 0,0     84,6 0,0 14,8 14,8
Е         0,0 0,0 4,1 0,0     3,1 0,0 -0,1 93,0
Е         0,0 0,0 0,0 0,0     3,0 0,0 0,0 97,0
Е         0,0 0,0 15,2 0,0     4,6 0,0 0,0 80,2
Е         0,0 0,0 11,9 0,0     0,0 0,0 86,0 2,1
Е         0,0 0,0 37,3 0,0     8,9 0,0 11,8 42,0
Е         0,0 0,0 1,0 0,0     78,7 0,0 0,3 20,0
Е         0,0 0,0 0,1 0,0     0,2 0,0 0,1 99,7
Е         0,0 0,0 0,0 0,0     10,1 0,0 0,0 89,9
Е         0,0 0,0 49,9 0,0     2,0 0,0 1,8 46,3

 

Значения заселенностей перекрывания

  1s(Br) 2s(Br) 3s(Br) 4s(Br) 2p(Br) 3p(Br) 4p(Br) 3d(Br) 1s(F2) 2s(F2) 2p(F2) 1s(F3) 2s(F3) 2p(F3)
1s(Br) 1,0000                          
2s(Br) 0,0000 1,0002                        
3s(Br) 0,0000 0,0000 1,0049                      
4s(Br) 0,0000 0,0000 0,0000 1,1062                    
2p(Br) 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 3,0001                  
3p(Br) 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 3,0014                
4p(Br) 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 1,7219              
3d(Br) 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 5,0035            
1s(F2) 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 -0,0006 0,0000 1,0007          
2s(F2) 0,0000 0,0000 -0,0001 -0,0181 0,0000 -0,0002 -0,0377 -0,0003 0,0000 1,0550        
2p(F2) 0,0000 0,0000 -0,0011 0,0006 0,0000 -0,0006 0,0781 -0,0009 0,0000 0,0000 2,5578      
1s(F3) 0,0000 0,0000 0,0000 -0,0003 0,0000 0,0000 -0,0010 0,0000 0,0000 0,0000 0,0002 4,0014    
2s(F3) 0,0000 0,0000 -0,0004 -0,0553 0,0000 0,0000 -0,0895 -0,0004 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 4,1319  
2p(F3) 0,0000 -0,0001 -0,0033 -0,0726 0,0000 0,0000 0,2266 -0,0018 0,0000 -0,0079 -0,0079 0,0000 -0,0010 0,7385

 


Зонная структура твердого тела.

Количественный анализ полупроводников и полупроводниковых приборов базируется на зонной теории твёрдого тела. Как известно, изолированный атом характеризуется дискретным спектром энергий, разрешённых для электрона. Твёрдое тело представляет собой совокупность атомов, сильно взаимодействующих благодаря малым межатомным расстояниям. Эта совокупность характеризуется некоторым единым для всего тела энергетическим спектром. Особенность этого спектра в том, что он состоит не из дискретных уровней, а из дискретных разрешенных зон. То есть для кристалла получается определенная зонная диаграмма, в которой разрешенные зоны чередуются с запрещенными. Ширина тех и других не превышает нескольких эВ и не зависит от числа атомов в твердом теле, то есть от его размеров.

Проводимость в твердом теле возможна лишь тогда, когда возможен переход электрона на ближайший энергетический уровень. Значит, в проводимости могут участвовать электроны только тех зон, в которых есть свободные уровни. Такие свободные уровни всегда имеются в верхней разрешенной зоне. Поэтому верхнюю зону твердого тела, не заполненную (или заполненную не полностью) электронами при 0 К, называют зоной проводимости. Зону, ближайшую разрешенную к зоне проводимости, называют валентной (рис. 8.1).

 

Рис. 8.1

 

При нулевой температуре (0 К) она полностью заполнена, и электроны этой зоны не могут участвовать в проводимости. Но при температуре выше 0 К некоторые электроны могут преодолеть запрещенную зону и перейти из валентной зоны в зону проводимости. В верхней части валентной зоны образуются свободные уровни (дырки), и эта зона также может обусловить проводимость.

Зонная структура твердого тела при 0 К лежит в основе классификации металлов, полупроводников и диэлектриков. Полупроводники и диэлектрики различаются в основном шириной запрещенной зоны (у диэлектриков она больше). При 0 К зона проводимости у полупроводников и диэлектриков пуста (для электронов), это их качественное отличие от металлов.

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.