Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Основные технические данные. Cуммарная основная погрешность измерения (температурный дрейф нуля



Напряжение питание датчика - двухполярное, постоянным током +5 +/-0,01В, -5 +/-0,1В
Потребляемый ток (не более) 15 мА
Диапазон измеряемого давления 0...1 кгс/см2
Начальное смещение нуля (систематическая погрешность) не более 0,5%

Cуммарная основная погрешность измерения (температурный дрейф нуля, нелинейность характеристики) - не более 1 % от верхнего предела измерения:

  • в диапазоне от 0 до 0,5 кгс/см2: нелинейность - не хуже 0,5%; температурный дрейф нуля - не более 0,02 %/oС;
  • в диапазоне от 0,5 до 1,0 кгс/см2: нелинейность характеристики - не хуже 0,15%.

Внимание!

  • вкручивание датчика в измеряемую магистраль осуществляется при помощи шлицов на штуцере датчика. Не допускать проворачивание защитного корпуса датчика;
  • во избежание разрушения мембраны сенсора датчика, установку его на магистраль производить при отсутствии жидкости в соединительном патрубке;
  • не допускать локального механического воздействия твердыми предметами на мембрану сенсора через отверстие в штуцере датчика.

Дополнительная информация: techno@mvs.tsure.ru

| Предыдущая разработка | На верх | Следующая разработка |
| Предыдущая разработка | Список | Следующая разработка |

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ

НАЗНАЧЕНИЕ

Предназначен для контроля температуры газообразных и жидких сред. Представляет собой полупроводниковый монокристаллический чувствительный элемент, совмещенный при необходимости с электронным блоком усиления и преобразования выходного сигнала.

Основные технические данные

Наименование параметра Значение
Номинальное сопротивление, Rном. (при 0oС), Ом 120-140
Диапазон рабочих температур, ТoС от -50 до +200
Коэффициент температурной чувствительности, КтчОм/oС 1.4
Нелинейность характеристики, b, % +3
Предельно-допустимый ток, Imax, мА
Масса, г не более 0.2
Тепловая инерционность, с не хуже 2

 

Дополнительная информация: techno@mvs.tsure.ru

| Предыдущая разработка | На верх | Следующая разработка |
| Предыдущая разработка | Список | Следующая разработка |

ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ РЕЛЕ ДАВЛЕНИЯ ГАЗОВОЕ, ТИПА РДГ-150/10

НАЗНАЧЕНИЕ

Предназначено для контроля превышения давления в газовых (воздушных) магистралях и выдачи соответствующих управляющих электрических сигналов логических уровней "0" и "1" транзисторно-транзисторной логики в системах автоматики и контроля параметров газообразных сред.

Полупроводниковый чувствительный элемент балочного типа изготовлен таким образом, что может быть использован для установки во взрывоопасных помещениях в устройствах с конструктивным разнесением блоков первичного и вторичного преобразователей.

Основные технические данные

Наименование параметра Значение
Напряжение питания реле +5В +/-5%
Диапазон контролируемых давлений 10...150 мм.вод.ст.
Гистерезис порога срабатывания +/-5 мм.вод.ст.*
Величина допустимой перегрузки по давлению не более 30% от верхнего предела
Потребляемый ток не более 50 мА
Габаритные размеры 60х60х70 мм
Масса 0.2 кг

 

* По требованию Заказчика может регулироваться от +2 до + 20 мм.вод.ст.

Дополнительная информация: techno@mvs.tsure.ru

| Предыдущая разработка | На верх | Следующая разработка |
| Предыдущая разработка | Список | Следующая разработка |

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ БАЛОЧНОГО ТИПА

НАЗНАЧЕНИЕ

Предназначен для измерения параметров ряда физических величин: микроперемещений (контактным способом)- 0.1 - 1000мкм; силы - 10-5 - 1Н; веса - 10-3 - 100г, а также вибраций, перегрузок и ускорений в пределах от 10-3 до 100g, и преобразования этих величин в пропорциональный воздействию аналоговый электрический сигнал.

Тензочувствительный элемент представляет собой балку равного сечения, изготовленного из монокристаллического кремния, жестко закрепленную с одной стороны. На фиксированном расстоянии от места закрепления в объеме полупроводника сформированы четыре диффузионных тензорезистора, собранные в мост Уитстона. При измерении той или иной физической величины воздействие прикладывается к противоположному концу балки.




©2015 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.