Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Усилитель на биполярном транзисторе. Автоматическая ООС в цепи эмиттера



При нормальных условиях работы транзистора, обратный ток коллектора iKБО , рассмотренный в главе 1 (см. (1.8)), обычно удваивается с повышением температуры на каждые 10о С. В результате может значительно изменяться с температурой и общий ток коллектора, что приведет к появлению нелинейных искажений выходного сигнала.

Рис. 5.6. Обратная связь в усилителе на биполярном транзисторе:

а) в цепи эмиттера, б) в цепи коллектор-база.

 

Для возможности удержания коллекторного тока в схеме усилителя (рис.5.6 а)) используют резистор RЭ. Механизм воздействия ООС (эмиттерной стабилизации) состоит в следующем. Увеличение тока коллектора в соответствии с общим соотношении для токов в транзисторе (1.7) вызывает соответствующие увеличение тока эмиттера. В тоже время возрастание напряжение на эмиттерном резисторе приводит к снижению потенциала база-эмиттер транзистора:

(5.7).

Тогда, в соответствии с проходной ВАХ транзистора (см. рис.1.15) это должно уменьшить коллекторный ток, и, следовательно, нежелательные температурные изменения последнего можно в значительной мере стабилизировать.

Коэффициент передачи обратной связи в этой схеме, исходя из (5.7), b=RЭ/R.

Аналогичным образом проявляет себя и механизм истоковой стабилизации в транзисторных каскадах, использующих полевые транзисторы.

 

Усилитель на биполярном транзисторе. ООС в цепи коллектор-база.

Другой распространенной схемой стабилизации режима работы усилителя является введение ООС по напряжению в цепи коллектор-база (рис. 5.6 б)).

Здесь часть тока коллектора IK1 через резистор RБ подается на базу транзистора, так что

(5.8).

Таким образом, увеличение коллекторного тока будет снижать напряжение баз-эмиттер, что в свою очередь по виду проходной ВАХ транзистора (рис.1.15) снизит коллекторный ток, т.е. ООС удержит Iк в прежних значениях.

Коэффициент передачи обратной связи в этой схеме, исходя из (5.8), b=RК/RБ.

Недостатком данной схемы является большая переменная составляющая входного тока через сопротивление RБ, поскольку напряжение на его верхнем конце относительно земли равно напряжению сигнала, усиленного транзистором. Можно показать, что такое включение сопротивления RБ эквивалентно включению на входе сопротивления ,где К – коэффициент усиления.

Иногда, для устранения шунтирующего влияния сопротивления его разбивают на две части и замыкают среднюю точку через конденсатор достаточно большой емкости на землю. Емкость устраняет нежелательную связь между входом и выходом через RБ по усиленному переменному сигналу.

 




©2015 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.