Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Запоминающие элементы постоянных ЗУ



 

Микросхемы постоянных запоминающих устройств (ПЗУ и ППЗУ) изготовляют с применением диодов, многоэмиттерных транзисторов или МОП-структур. Элементы памяти размещаются в узлах матриц, образованных адресными линиями строк и разрядными линиями столбцов. Принцип функционирования простейшего матричного ПЗУ (ROM) иллюстрирует схема на рис. 13.1.

 

 

Рис.13.1. Принцип построения матричного ПЗУ

 

В такой памяти ЗУ представляют собой проводники (перемычки), связывающие вертикальные и горизонтальные линии. Каждый горизонтальный набор ЗУ представляет собой ЯП, имеющую свой адрес. Таким образом, каждая горизонтальная линия выделяет ячейку памяти (т.е. является адресной) и подключается к соответствующему выходу адресного дешифратора. При занесении информации, изготовителем или пользователем, часть проводников остаётся, а часть не напыляется в процессе изготовления (масочное ПЗУ) или пережигается в процессе программирования пользователем.

При считывании информации по заданному адресу, возбуждается соответствующая адресная линия, т.е. на неё подаётся 1 с адресного дешифратора. В результате на вертикальных (разрядных) линиях возникнет двоичный код, в котором 1 стоят на позициях существующих перемычек, а 0 – отсутствующих перемычек.

Другой тип энергонезависимой памяти – ППЗУ (EPROM). Такая память имеет ЗЭ в виде восстанавливаемых перемычек и может быть перезаписана только с помощью специальных программаторов. В настоящее время из-за сложности процесса перезаписи на смену ППЗУ приходит флэш-память (Flash Memory).

Флэш-память имеет ЗЭ, позволяющие достаточно легко осуществлять электрическую запись и стирание информации. Основой таких ЗЭ является лавинно-инжекционный МДП-транзистор с плавающим затвором. Его структура приведена на рис.13.2.

 

 

 

Рис. 13.2. Схема лавинно-инжекционного транзистора с плавающим затвором

 

Плавающий затвор – слой металла, электрически изолированный от всех остальных элементов транзистора. Уровень потенциала на нём может существенно изменять вольтамперную характеристику МДП-транзистора. Отсутствие заряда на плавающем затворе позволяет основному затвору управлять образованием канала как в обычном МДП-транзисторе. Наличие на плавающем затворе заряда соответствующей полярности запрещает образование канала, даже при наличии рабочего отпирающего потенциала на основном затворе (образование канала возможно только при существенно большем отпирающем потенциале). Формирование заряда на плавающем затворе (программирование ЗЭ) осуществляется подачей соответствующих потенциалов на электроды МДП-транзистора. При достаточно большом напряжении на стоке и ограниченном токе происходит обратимый лавинный пробой диэлектрика. В область плавающего затвора инжектируются носители заряда (обычно электроны). Стирание информации (удаление заряда плавающего затвора) в современных ЗЭ происходит также электрическим путём. В старых типах ЗЭ стирание информации осуществлялось воздействием ультрафиолетовых лучей. При этом увеличивались токи утечки и потенциалы выравнивались. Считается, что заряд на плавающем затворе уменьшается на 30 % за 10 лет при отсутствии внешних электрических воздействий.

Следует отметить, что циклы запись/стирание информации ухудшают свойства диэлектрика, окружающего плавающий затвор, и со временем ЗЭ выходит из строя. Между тем, современные флэш-памяти допускают миллионы перезаписей.

 


 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.