Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Физическая структура основной памяти



,

Упрощенная структурная схема модуля основной памяти при матричной его орга­низации представлена на рис. 17.

При матричной организации адрес ячейки, поступающий в регистр адреса Рег. адр., например, по 20-разрядным кодовым шинам адреса, делится на две 10-разрядные части, поступающие соответственно в Рег. адр. X и Рег. адр. Y. Из этих регистров коды полуадресов поступают в дешифраторы Дешифратор Хш Дешифратор Y, каж­дый из которых в соответствии с полученным адресом выбирает одну из 1024 шин. По выбранным шинам подаются сигналы записи/считывания в ячейку памяти, находящуюся на пересечении этих шин. Таким образом, адресуется 10б (точнее, 10242) ячеек.

Считываемая или записываемая информация поступает в регистр данных (Рег.-данных), непосредственно связанный с кодовыми шинами данных. Управляющие сигналы, определяющие, какую операцию следует выполнить, поступают по кодо­вым шинам инструкций. Куб памяти содержит набор запоминающих элементов — собственно ячеек памяти.

Основная память(ОП) содержит оперативное (RAM— Random Access Memory) и постоянное (ROM— Read Only Memory) запоминающие устройства. Оперативное запоминающее устройство (ОЗУ)предназначено для хранения ин­формации (программ и данных), непосредственно участвующей в вычислитель­ном процессе в текущий интервал времени. ОЗУ — энергозависимая память: при отключении напряжения питания информация, хранящаяся в ней, теряется. Ос­нову ОЗУ составляют микросхемы динамической памяти DRAM. Это большие интегральные схемы, содержащие матрицы полупроводниковых запоминающих Модули памяти характеризуются конструктивом, емкостью, временем обращения и надежностью работы. Важным параметром модуля памяти является его надеж­ность и устойчивость к возможным сбоям. Надежность работы современных модулей памяти весьма высоки.

Модули памяти бывают с контролем четности (parity) и без контроля четности (поп parity) хранимых бит данных. Контроль по четности позволяет лишь обнару­жить ошибку и прервать исполнение выполняемой программы. Существуют и бо­лее дорогие модули памяти с автоматической коррекцией ошибок — ЕСС- память, использующие специальные корректирующие коды с исправлением ошибок.

 

 

Рис. 17. Структурная схема модуля основной памяти

Существуют следующие типы модулей оперативной памяти:

1. DIP;

2. SIP;

3. SIPP;

4. DIMM;

5. RIMM.

Рассмотрим их подробнее.

DIP, SIP и SIPP

DIP(Dual In line Package — корпус с двумя рядами выводов) — одиночная микро­схема памяти, сейчас используется только в составе более укрупненных модулей (в составе модулей SIMM, например). SIP(Single In line Package — корпус с од­ним рядом выводов) — микросхема с одним рядом выводов, устанавливаемая вер­тикально. SIPP(Single In line Pinned Package — корпус с одним рядом проволоч­ных выводов) — 30-контактный модуль с контактами типа «штырек». Модули SIP и SIPP сейчас практически не применяются.

SIMM

SIMM(Single In line Memory Module) представляют собой печатную плату с односторонним краевым разъемом типа слот и установленными на ней совместимыми микросхемами памяти типа DIP,SIMM бывают двух разных типом: короткие на 30 контактов(длина 75 мм) и длинные па 72 контакта (длина 100 мм). Модули SIMM имеют емкость 256 Кбайт, 1, 4, 8, 16, 32 и 64 Мбайт. Модули SIMM выпускаются с контролем и беи контроля по четности и с эмуляцией контроля почетности. SIMM отличаются также быстродействием — обычно они имеют время обраще­ния 60 и 70 НС, Сейчастакое время обращения считается нежелательным, поэтому SIMM встречаются только в устаревших ПК.

DIMM

DIMM— более современные модули, имеющие 168- контактные разъемы (длина модуля 130 мм); могут устанавливаться только на те

Типы системных плат, которые имеют соответствующие разъемы. Появление DIMM стимулировалось использованием процессоров Pentium, имеющих шину данных 64 бит. Необходимое число модулей памяти для заполнения шины называется банком памяти.В случае 64-разрядной шины для этого требуется два 32-битных 72-контактных модуля SIMM или один 64-битный модуль DIMM, имеющий 168 контактов. Модуль DIMM может иметь разрядность 64 бита (без контроля четности), 72 бита (с контролем четности) и 80 бит (память ЕСС). Емкость модулей DIMM: 16, 32, 64, 128, 256 и 512 Мбайт. Время обращения, характерное для современных модулей DIMM, работающих на частоте 100 и 133 МГц (модули РС100, РС133), лежит в пределах 6-10 нс.

RIMM

 

RIMM (Rambus In line Memory Module) — новейший тип оперативной памяти. Появление памяти Direct Rambus DRAM потребовало нового конструктива для модулей памяти.Микросхемы Direct RDRAM собираются в модули RIMM, внешне подобные стандартным DIMM, что, кстати, и нашло отражение в названии модулей новогоконструктива. На плате модуля RIMM может быть до 16 микросхем памяти RDRAM, установленных по восемь штук с каждой стороны платы. Модули RIMM могут быть использованы на системных платах с форм-фактором АТХ, BIOS и чипсеты которых рассчитаны на использование данного типа памяти. Среди микросхем фирмы Intel это чипсеты i820, i840,1850 и их модификации. На системной плате может быть до четырех разъемов под данные модули. Необходимо отметить, что модули RIMM требуют интенсивного охлаждения. Это связано со значительным энергопотреблением и, соответственно, тепловыделением, что обусловлено высоким быстродействием данных модулей памяти (время обраще­нии 5 нс и ниже). Хотя внешне модули RIMM напоминают модули DIMM, они имени меньшее число контактов и с обеих сторон закрыты специальными металли­ческими экранами, которые защищают модули RIMM, работающие на больших частотах, экранируя их чувствительные электронные схемы от внешних электромагнитных наводок, В настоящее время спецификации определяют три типа модулей, отличающиеся рабочими частотами и пропускной способностью. Обозначаются они
RIMM PC 800, RIMM PC700, RIMM PC600. Наиболее быстродействующими являются модули RIMM РС800, работающие с чипсетом i850 па внешней тактовой частоте 400 МГц и имеющие пропускную способность 1,6 Гбайт/с.

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.