Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Ускорение ядра» микросхемы ЗУ



Возможности «ускорения ядра» микросхемы ЗУ весьма ограничены и связаны в основном с миниатюризацией запоминающих элементов. Наибольшие успехи достигнуты в интерфейсной части ИМС, касаются они, главным образом, операции чтения, то есть способов доставки содержимого ячейки на шину данных. Наибольшее распространение получили следующие шесть фундаментальных подходов:

• последовательный;

• конвейерный;

• регистровый;

• страничный;

• пакетный;

• удвоенной скорости.

Вопрос 9.

ПЗУ: назначение, виды. Сверхоперативные запоминающие устройства. ОЗУ статического и динамического типа: принципы работы, виды.

10. Типы микросхем динамической памяти: синхронная и асинхронная динамическая память.

9) Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) — энергонезависимая память, используется для хранения массива неизменяемых данных.

Постоянные ЗУ предназначены для хранения информации ко­торая остается неизменной в течение всего времени работы устрой­ства. Эта информация не исчезает при снятии напряжения питания.

Виды ПЗУ:

а) Массочное-програмируется однократно при изготовлении.(МПЗУ)

б) Однократно программируемые после изготовления (ППЗУ).

в) Многократно программируемые (ПППЗУ).

Сверхоперативные запоминающие устройства - Быстродействующее запоминающее устройство, предназначенное для объединения функций нескольких регистров процессора, а также для временного хранения промежуточных результатов, часто используемых данных, констант и коротких подпрограмм.

Базовым элементом статической памяти служит триггер. Одно из двух его устойчивых состояний принимается за 0, другое - 1. Эти состояния при отсутствии внешних воздействий могут сохраняться сколь угодно долго.

Динамические элементы памяти представляют собой конденсатор: заряженный конденсатор - 1, незаряженный - 0. Недостатком динамической памяти является самопроизвольный разряд, что ведет к потере информации. Чтобы этого не происходило, конденсаторы динамической памяти необходимо периодически подзаряжать. Такой процесс называют регенерацией ОЗУ.

 

Вопрос 10

Типы микросхем динамической памяти:

DRAM (Dynamic random access memory, Динамическая память с произвольным доступом) — тип энергозависимой полупроводниковой памяти с произвольным доступом;

SDRAM (англ. Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом) — тип запоминающего устройства, использующегося в компьютере в качестве ОЗУ.

В отличие от других типов DRAM, использовавших асинхронный обмен данными, ответ на поступивший в устройство управляющий сигнал возвращается не сразу, а лишь при получении следующего тактового сигнала.

Вопрос 11.

Конструктивно память DRAM состоит из «ячеек» размером в 1 или 4 бит, в каждой из которых можно хранить определённый объём данных. Совокупность «ячеек» такой памяти образуют условный «прямоугольник», состоящий из определённого количества строк и столбцов. Один такой «прямоугольник» называется страницей, а совокупность страниц называется банком. Весь набор «ячеек» условно делится на несколько областей.

Основными характеристиками DRAM являются тайминги и рабочая частота. Для обращения к ячейке, контроллер задаёт номер банка, номер страницы в нём, номер строки и номер столбца, на все запросы тратится время, помимо этого довольно большая затрата уходит на открытие и закрытие банка после самой операции. На каждое действие требуется время, называемое таймингом. Основными таймингами DRAM являются: задержка между подачей номера строки и номера столбца, называемая временем полного доступа (англ. RAS to CAS delay), задержка между подачей номера столбца и получением содержимого ячейки, называемая временем рабочего цикла (англ. CAS delay), задержка между чтением последней ячейки и подачей номера новой строки (англ. RAS precharge). Тайминги измеряются в наносекундах, и чем меньше величина этих таймингов, тем быстрее работает оперативная память. Рабочая частота измеряется в мегагерцах, и увеличение рабочей частоты памяти приводит к увеличению еёбыстродействия.




©2015 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.